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半导体装置具有在第一导电型的衬底区域(11)上形成有与第一导电型不同的第二导电型的埋入区域(21)、在埋入区域(21)上形成有第一导电型的阱区域(31)的三阱结构。在阱区域(31)上形成有第二导电型的区域(42)。从区域(42)到形成在埋入...
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