分离电子级四甲基硅烷的方法及应用技术

本发明专利技术公开了一种分离电子级四甲基硅烷的方法及应用，其中方法包括：获取经过脱氢脱重后的原料气粗产品；原料气粗产品依次通过极性吸附部分和体积吸附部分进行吸附纯化，极性吸附部分至少包括极性吸附剂，体积吸附部分至少包括多孔吸附剂，极性吸附剂选择对2‑氯丙烷具有选择性极性吸附的，多孔吸附剂选择对异戊烷具有选择性体积吸附的。本发明专利技术将2种类型的分子筛吸附剂联用，克服了有机硅生产中常见的多精馏塔串联提纯能耗高的难题，并将异戊烷含量直接降到10ppm以下；实验条件不苛刻，能耗低，分子筛可再生重复使用，经济性高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于特种气体，具体涉及一种从有机硅低沸物中分离得到电子级四甲基硅烷的方法及应用。

技术介绍

1、在半导体产业高速发展的当下，电子级超纯前驱体材料作为半导体制造过程中的关键原料，其品质与技术含量直接影响到最终半导体产品的性能与质量。当前，国内外对这类材料的需求日益增加，尤其是四甲基硅烷(tetramethylsilane，以下简称为tms)，作为重要的电子气体之一，在半导体制造领域扮演着不可或缺的角色。

2、然而，在我国市场，四甲基硅烷(tms)的生产企业虽然数量不少，但能够生产供半导体制造商直接使用的高纯电子级四甲基硅烷(tms)产品的企业依然很少。这在一定程度上限制了我国半导体产业在原材料方面的自主性和竞争力。

3、目前市面上制备四甲基硅烷的方法主要是基于其原料来源中的化学反应制备。如四氯硅烷或正硅酸乙酯与甲基碘化镁反应或是氯甲烷和硅粉在铜催化剂存在下反应，但在提纯方面依然存在很多难题。提纯四甲基硅烷(tms)的难点主要在于其与杂质的沸点非常接近。例如，标准大气压下，四甲基硅烷的沸点为26.6℃，而一些杂质的沸点如2-甲本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种从有机硅低沸物中分离得到电子级四甲基硅烷的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的从有机硅低沸物中分离得到电子级四甲基硅烷的方法，其特征在于，所述原料气粗产品其组成包括v/v％：四甲基硅烷77～87％、异戊烷8～15％、2-氯丙烷2～8％和余量的其他杂质。

3.根据权利要求1所述的从有机硅低沸物中分离得到电子级四甲基硅烷的方法，其特征在于，所述极性吸附剂选自沸石分子筛、13X分子筛。

4.根据权利要求3所述的从有机硅低沸物中分离得到电子级四甲基硅烷的方法，其特征在于，所述极性吸附剂为13X分子筛。

5.根据权利要求1所述的从有机硅低沸...

【技术特征摘要】

1.一种从有机硅低沸物中分离得到电子级四甲基硅烷的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的从有机硅低沸物中分离得到电子级四甲基硅烷的方法，其特征在于，所述原料气粗产品其组成包括v/v％：四甲基硅烷77～87％、异戊烷8～15％、2-氯丙烷2～8％和余量的其他杂质。

3.根据权利要求1所述的从有机硅低沸物中分离得到电子级四甲基硅烷的方法，其特征在于，所述极性吸附剂选自沸石分子筛、13x分子筛。

4.根据权利要求3所述的从有机硅低沸物中分离得到电子级四甲基硅烷的方法，其特征在于，所述极性吸附剂为13x分子筛。

5.根据权利要求1所述的从有机硅低沸物中分离得到电子级四甲基硅烷的方法，其特征在于，所述多孔吸附剂选自zsm-5沸石分子筛、5a分子筛。

6.根据权利要求5所述的从有机硅低沸物中分离得到...

【专利技术属性】
技术研发人员：王艺潼，张佳瑶，徐聪，陈琪，朱佳政，
申请(专利权)人：金宏气体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：