半导体器件的形成方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体基底，包括若干顶层金属层，位于相邻顶层金属线之间的切割道；在顶层金属层边缘形成辅助金属层；在顶层金属层和辅助金属层的表面均形成钝化层，钝化层同时覆盖辅助金属层的侧壁和切割道的表面；在顶层金属层上方的钝化层的表面形成图案化的光刻胶层；刻蚀未覆盖的钝化层，刻蚀过程中产生聚合物形成第一聚合物层和第二聚合物层，第一聚合物层覆盖图案化的光刻胶层的侧壁和剩余的钝化层的侧壁，第二聚合物层覆盖辅助金属层的侧壁；去除图案化的光刻胶层，覆盖图案化的光刻胶层的第一聚合物层被去掉，剩余的第一聚合物层覆盖钝化层的侧壁；使用清洗液清洗去除第一聚合物层和第二聚合物层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其是涉及一种半导体器件的形成方法。

技术介绍

1、随着电路制程技术的发展以及元件集成度的提升，目前同一个晶圆上可以同时生产多个芯片。通常在制作完成这些芯片后，将晶圆上的各个独立芯片与其他芯片切割开来。为了配合切割制程的进行，在每个芯片与芯片之间通常会预留一定的空间来作为切割道，以将晶圆切割成多个芯片。

2、现有技术中，切割方法请参照图1，首先，提供需要切割的晶圆，晶圆上形成有多个芯片，芯片包括各种器件结构，还包括位于最上层的顶层金属层110。所以芯片旁边或者说顶层金属层110的旁边就是切割道。同时，还会形成有一层钝化层120，钝化层120覆盖顶层金属层110的表面和侧壁以及切割道的表面，保护其不被氧化。因此，切割时，会先切割掉切割道上的钝化层120。具体的，在顶层金属层110上的钝化层120的表面和顶层金属层110的侧壁形成光刻胶层130。接着请参照图2，刻蚀光刻胶层130未覆盖的钝化层120也即是切割道表面的钝化层120。刻蚀钝化层120的时候，会产生聚合物，聚合物形成聚合物层140，聚合物层140会覆盖光刻胶层130本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述顶层金属层和辅助金属层的材料相同。

3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述顶层金属层和辅助金属层的材料均包括铝。

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述顶层金属层和辅助金属层的厚度相同。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述顶层金属层和辅助金属层的表面齐平。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述顶层金属层上方的钝化层的表面形成图...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述顶层金属层和辅助金属层的材料相同。

3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述顶层金属层和辅助金属层的材料均包括铝。

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述顶层金属层和辅助金属层的厚度相同。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述顶层金属层和辅助金属层的表面齐平。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宏，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：