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本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体基底，包括若干顶层金属层，位于相邻顶层金属线之间的切割道；在顶层金属层边缘形成辅助金属层；在顶层金属层和辅助金属层的表面均形成钝化层，钝化层同时覆盖辅助金属层的侧壁和切割道的表面；在顶层...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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