一种可控的八英寸碳化硅轴向温度梯度的热场装置及其方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种可控的八英寸碳化硅轴向温度梯度的热场装置及其方法，包括密封壳体、感应加热线圈和坩埚组件，所述感应加热线圈和坩埚组件均位于密封壳体内部，所述感应加热线圈包裹在坩埚组件外部；所述密封壳体的顶部设置进气管，所述进气管外接充气泵，所述密封壳体的底部设置出气管，所述出气管外接真空泵；所述坩埚组件包括原料坩埚，所述原料坩埚外部从上至下依次套接第一石墨环、第二石墨环和第三石墨环，且第一石墨环、第二石墨环和第三石墨环的热导率依次提高。本发明专利技术通过三个石墨环的设置，可以使原料区温度传递更加均匀可控，且可以较为自主的调节轴向温度梯度，解决了感应加热单加热器的痛点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及碳化硅热场装置，具体涉及一种可控的八英寸碳化硅轴向温度梯度的热场装置及其方法。

技术介绍

1、碳化硅是一种具有高能隙、高热导率、高电子饱和漂移速率等优异物理特性的第三代半导体材料，它在高温、高功率、高压、高频等领域有着广阔的应用前景，如电动汽车、通信、能源、工业等。碳化硅国内市场4英寸已经面临淘汰，6英寸大多厂商已经实现稳定生产，目前八英寸研发正在进行，只有少数领头企业生成可以小批量量产。目前八英寸晶体生长大多采用电阻式长晶炉，其优点在于可以较为容易控制晶体生长的轴向温度梯度，但是其耗电量是感应式长晶炉的数倍，因此专利技术一种解决感应式长晶炉轴向温度梯度难以控制的热场以及方法极为重要，可以大大降低碳化硅八英寸晶体生长成本。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于针对现有技术的缺陷和不足，提供一种可控的八英寸碳化硅轴向温度梯度的热场装置及其方法。

2、为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种可控的八英寸碳化硅轴向温度梯度的热场装置，其创新点在于：包括密封壳体、感应加热线圈和坩埚本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种可控的八英寸碳化硅轴向温度梯度的热场装置，其特征在于：包括密封壳体、感应加热线圈和坩埚组件，所述感应加热线圈和坩埚组件均位于密封壳体内部，所述感应加热线圈包裹在坩埚组件外部；所述密封壳体的顶部设置进气管，所述进气管外接充气泵，所述密封壳体的底部设置出气管，所述出气管外接真空泵；所述坩埚组件包括原料坩埚，所述原料坩埚外部从上至下依次套接第一石墨环、第二石墨环和第三石墨环，且第一石墨环、第二石墨环和第三石墨环的热导率依次提高，所述第一石墨环的顶部设置石墨下坩埚，所述原料坩埚放置在石墨下坩埚中心位置，所述石墨下坩埚的顶部设置石墨台，所述石墨台的顶部设置石墨上坩埚，所述石墨下坩埚的内壁设...

【技术特征摘要】

1.一种可控的八英寸碳化硅轴向温度梯度的热场装置，其特征在于：包括密封壳体、感应加热线圈和坩埚组件，所述感应加热线圈和坩埚组件均位于密封壳体内部，所述感应加热线圈包裹在坩埚组件外部；所述密封壳体的顶部设置进气管，所述进气管外接充气泵，所述密封壳体的底部设置出气管，所述出气管外接真空泵；所述坩埚组件包括原料坩埚，所述原料坩埚外部从上至下依次套接第一石墨环、第二石墨环和第三石墨环，且第一石墨环、第二石墨环和第三石墨环的热导率依次提高，所述第一石墨环的顶部设置石墨下坩埚，所述原料坩埚放置在石墨下坩埚中心位置，所述石墨下坩埚的顶部设置石墨台，所述石墨台的顶部设置石墨上坩埚，所述石墨下坩埚的内壁设置第一导流罩，所述第一导流罩的下端搭接在原料坩埚上，其上端顶在石墨台下部，所述石墨下坩埚的内壁从上至下依次设置第二导流罩和第三导流罩，所述石墨上坩埚的顶部设置籽晶托，所述籽晶托的底部粘接碳化硅籽晶，所述碳化硅籽晶与石墨上坩埚内部连通。

2.根据权利要求1所述的一种可控...

【专利技术属性】
技术研发人员：范国峰，张皓，门振龙，
申请(专利权)人：范国峰，
类型：发明
国别省市：