刻蚀补偿方法技术

一种刻蚀补偿方法，包括：获取药液刻蚀第一批次晶圆表面预设厚度的待刻蚀层所需要的初始刻蚀时间；获取药液在刻蚀过程中刻蚀速率衰减的衰减系数；获取致使药液刻蚀速率衰减的关联参数；将衰减系数和关联参数的乘积结果和初始刻蚀时间相加作为待刻蚀晶圆的实际刻蚀时间。通过获取药液在刻蚀过程中刻蚀速率衰减的衰减系数、以及致使药液刻蚀速率衰减的关联参数，进而计算得到待刻蚀晶圆的补偿刻蚀时间，以此减小药液使用时刻蚀速率衰减带来刻蚀量减少的问题。在药液的整个使用周期中无需更换药液，能够有效减少药液浪费，而且根据每一批次晶圆的关联参数不同，可以进行针对性的刻蚀时间补偿，使得每一批次晶圆都能够获取更加精细的补偿刻蚀时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种刻蚀补偿方法。

技术介绍

1、半导体刻蚀工艺就是使用物理、化学或两者兼用的方法，有目的性地把没被抗蚀剂掩盖的那一部分薄膜层除去，这样就可以在薄膜上得到与抗蚀剂膜上相同的图形。刻蚀工艺可以分成干法刻蚀工艺与湿法刻蚀工艺。湿法刻蚀是传统的刻蚀方法，具体原理是把晶圆浸泡在某种化学试剂或试剂溶液中，让没有被抗蚀剂掩盖的那一部分薄膜表面与试剂发生化学反应而被除去。其优点主要在于操作简单、对设备要求较低、易于大批量生产，并且刻蚀的选择性也较好。

2、然而，现有技术中的湿法刻蚀过程仍存在诸多问题。

技术实现思路

1、本专利技术解决的技术问题是提供一种刻蚀补偿方法，以减少药液浪费和提高刻蚀时间补偿的精度。

2、为解决上述问题，本专利技术提供一种刻蚀补偿方法，包括：获取药液刻蚀第一批次晶圆表面预设厚度的待刻蚀层所需要的初始刻蚀时间；获取所述药液在刻蚀过程中刻蚀速率衰减的衰减系数；获取在刻蚀待刻蚀晶圆之前，致使所述药液刻蚀速率衰减的关联参数；将所述衰减系数和所述关联参本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种刻蚀补偿方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述刻蚀补偿方法，其特征在于，获取所述初始刻蚀时间的方法包括：提供第一槽药液；在第一批次晶圆表面形成所述预设厚度的所述待刻蚀层；检测所述第一槽药液刻蚀所述待刻蚀层的初始刻蚀速率；将所述预设厚度与所述初始刻蚀速率的比值作为所述初始刻蚀时间。

3.如权利要求2所述刻蚀补偿方法，其特征在于，所述衰减系数包括：所述药液的刻蚀速率随时间增加而衰减的第一衰减系数；所述药液的刻蚀速率随晶圆加工数量增加而衰减的第二衰减系数。

4.如权利要求3所述刻蚀补偿方法，其特征在于，获取所述第一衰减系数的方法包括：获取所述...

【技术特征摘要】

1.一种刻蚀补偿方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述刻蚀补偿方法，其特征在于，获取所述初始刻蚀时间的方法包括：提供第一槽药液；在第一批次晶圆表面形成所述预设厚度的所述待刻蚀层；检测所述第一槽药液刻蚀所述待刻蚀层的初始刻蚀速率；将所述预设厚度与所述初始刻蚀速率的比值作为所述初始刻蚀时间。

3.如权利要求2所述刻蚀补偿方法，其特征在于，所述衰减系数包括：所述药液的刻蚀速率随时间增加而衰减的第一衰减系数；所述药液的刻蚀速率随晶圆加工数量增加而衰减的第二衰减系数。

4.如权利要求3所述刻蚀补偿方法，其特征在于，获取所述第一衰减系数的方法包括：获取所述药液刻蚀第一批次晶圆表面所述预设厚度的所述待刻蚀层所需要的第一刻蚀时间；对所述药液进行静置处理；在所述药液静置达到药液使用周期时间之后，获取所述药液刻蚀第二批次晶圆表面所述预设厚度的所述待刻蚀层所需要的第二刻蚀时间；将所述第二刻蚀时间与所述第一刻蚀时间的差值结果与所述药液使用周期时间的比值作为所述第一衰减系数。

5.如权利要求4所述刻蚀补偿方法，其特征在于，获取所述第一刻蚀时间和所述第二刻蚀时间的方法包括：提供第二槽药液；在第一批次晶圆表面形成所述预设厚度的所述待刻蚀层；检测所述第二槽药液刻蚀所述待刻蚀层的第一刻蚀速率；将所述预设厚度与所述第一刻蚀速率的比值作为所述第一刻蚀时间；所述药液静置达到所述药液使用周期时间之后，检测所述第二槽药液刻蚀所述待刻蚀层的第二刻蚀速率；将所述预设厚度与所述第二刻蚀速率的比值作为所述第二刻蚀时间。

6.如权利要求5所述刻蚀补偿方法，其特征在于，所述第一槽药液和所述第二槽药液为不同槽药液。

7.如权利要求5所述刻蚀补偿方法，其特征在于，所述第一槽药液和所述第二槽药液为同一槽药液。

8.如权利要求7所述刻蚀补偿方法，其特征在于，获取所述第一刻蚀时间和获取所述初始刻蚀时间为同一步骤。

9.如权利要求3所述刻蚀补偿方法，其特征在于，获取所述第二衰减系数的方法包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：周俊，闵财荣，郑飞力，
申请(专利权)人：宝鼎乾芯集成电路杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：