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一种刻蚀补偿方法,包括:获取药液刻蚀第一批次晶圆表面预设厚度的待刻蚀层所需要的初始刻蚀时间;获取药液在刻蚀过程中刻蚀速率衰减的衰减系数;获取致使药液刻蚀速率衰减的关联参数;将衰减系数和关联参数的乘积结果和初始刻蚀时间相加作为待刻蚀晶圆的实际...该专利属于宝鼎乾芯集成电路(杭州)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过宝鼎乾芯集成电路(杭州)有限公司授权不得商用。
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一种刻蚀补偿方法,包括:获取药液刻蚀第一批次晶圆表面预设厚度的待刻蚀层所需要的初始刻蚀时间;获取药液在刻蚀过程中刻蚀速率衰减的衰减系数;获取致使药液刻蚀速率衰减的关联参数;将衰减系数和关联参数的乘积结果和初始刻蚀时间相加作为待刻蚀晶圆的实际...