一种铝镁硅合金靶材及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种铝镁硅合金靶材及其制备方法和应用，属于材料加工技术领域；本发明专利技术提供的一种铝镁硅合金靶材的制备方法中，通过对铝镁硅合金铸锭预热后锻造，锻造后预热并进行轧制，随后热等静压处理，接着再依次进行预热后轧制和保温处理，最后矫平、机加；同时，本发明专利技术还控制热等静压处理以及保温处理的条件参数，从而能够有效的得到晶粒细小均匀、纯度高且内部无缺陷的铝镁硅合金靶材；并且，本发明专利技术提供的铝镁硅合金靶材的制备方法可操作性、可重复性强，成材率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于材料加工，尤其涉及一种铝镁硅合金靶材及其制备方法和应用。

技术介绍

1、半导体集成电路(ic)的快速发展及集成度的增加使其对金属互联线的质量要求进一步提高。超高纯铝合金靶材作为ic制造中金属互联线的主要配套材料，其市场规模日益扩大。溅射靶材的质量对金属薄膜材料的性能起着至关重要的作用。纯铝金属互联线的抗电迁移、应力迁移和抗化学腐蚀能力差，高纯铝中添加定量的硅元素可提高互连线的抗电迁移和应力迁移能力，提高再结晶温度的同时提升互连线硬度。

2、铝镁硅合金是指纯铝中添加少量的镁和硅元素的铝合金，具有强度高，密度小，散热好等优点，广泛用于电子，汽车，航天等领域。因此，如何提供一种能够满足半导体行业溅射靶材要求的铝镁硅合金靶材成为研究热点。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于克服上述现有技术的不足之处而提供一种制备工艺简单、制备得到的铝镁硅合金靶材纯度高、晶粒尺寸细小均匀且内部无缺陷的铝镁硅合金靶材及其制备方法和应用。

2、为实现上述目的，在本专利技术的第一方面，本专利技术提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种铝镁硅合金靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铝镁硅合金铸锭的制备方法为：将原料混合后在真空度＜10-3Pa、温度为700-850℃的条件下真空熔炼30-60min，接着浇铸，冷却后从模具中取出，得铝镁硅合金铸锭。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，一次预热的时间为60-120min。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，锻造采用墩粗拔长的方式，重复2-4次，每次变形率为60-80％。

5.根据权利要求1所...

【技术特征摘要】

1.一种铝镁硅合金靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铝镁硅合金铸锭的制备方法为：将原料混合后在真空度＜10-3pa、温度为700-850℃的条件下真空熔炼30-60min，接着浇铸，冷却后从模具中取出，得铝镁硅合金铸锭。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，一次预热的时间为60-120min。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，锻造采用墩粗拔长的方式，重复2-4次，每次变形率为60-80％。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，二次预热的温度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄东长，颜艳艳，童培云，高建成，
申请(专利权)人：先导薄膜材料安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：