一种多芯片双面腔式封装结构制造技术

技术编号:43585202 阅读:28 留言:0更新日期:2024-12-06 17:48
本技术提供了一种多芯片双面腔式封装结构。通过设计一体化双面腔体,将多个芯片组装到一体化双面腔体中,多层芯片堆叠通过预植球低弧反向键合与板级实现电气互联,同时将无源元件一体板组装到一体化双面腔体中,并通过焊接方式实现与一体化腔体的电气互联。一体化双面结构腔体通过激光封焊、平行缝焊、高温焊接等方式实现气密封装要求,使得在同样面积大小的封装集成芯片数量成倍增加,缩小了产品封装的尺寸,从而实现轴角转换产品的高密度封装,并提高产品的封装可靠性。且芯片堆叠的数量和一体化腔体数量可灵活调节,适应性广。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于轴角转换产品,特别是一种多芯片双面腔式封装结构


技术介绍

1、现代电子设备正在向小型化、轻量化、多功能、高可靠和低成本方向发展,对组装和互连技术提出了越来越高的需求,这就催生了系统级集成封装和微系统技术的研究。系统级封装技术是多种混合集成电路技术的集成,集成各种光电子器件、mems器件、模拟、数字以及无源元件,采用三维组装的制造技术实现元器件之间的结构和电气互连,构建功能单元,实现电子产品完整的系统或子系统功能。航空航天、军工等领域电子产品具有高性能、小型化、多品种和小批量等特点,系统级封装技术顺应了汽车、电子的应用需求,因此在这一
具有广泛的应用市场和发展前景。

2、目前,轴角转换产品多为二维平面组装工艺,内部的元器件通过焊接、粘接等工艺方式固定在基板或壳体上,产品内部空间利用率低,芯片堆叠封装目前多用于实现存储功能,未涉及到轴角转换领域的多芯片堆叠技术。此外,超大超重规格的元器件采用粘接方式质量一致性差,不能通过产品高可靠的要求,经常出现元器件脱落问题。再有,单腔体封装无法适应如今轴角转换模块小型化的问题。


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【技术保护点】

1.一种多芯片双面腔式封装结构,其特征在于,该封装结构包括一体化双面腔体,多层芯片叠装在所述一体化双面腔体中,多层芯片堆叠通过预植球低弧反向键合与一体化双面腔体实现电气互联;同时,无源元件一体板组装在所述一体化双面腔体中,并通过焊接方式与一体化双面腔体实现电气互联;所述一体化双面腔体为密封结构,且其底部背面焊接引脚。

2.根据权利要求1所述的多芯片双面腔式封装结构,其特征在于,所述一体化双面腔体包括上、下两个深腔,上深腔内设有多个嵌入式台阶腔体,作为多层芯片叠装的空间,下深腔内安装所述无源元件一体板。

3.根据权利要求2所述的多芯片双面腔式封装结构,其特征在于,所...

【技术特征摘要】

1.一种多芯片双面腔式封装结构,其特征在于,该封装结构包括一体化双面腔体,多层芯片叠装在所述一体化双面腔体中,多层芯片堆叠通过预植球低弧反向键合与一体化双面腔体实现电气互联;同时,无源元件一体板组装在所述一体化双面腔体中,并通过焊接方式与一体化双面腔体实现电气互联;所述一体化双面腔体为密封结构,且其底部背面焊接引脚。

2.根据权利要求1所述的多芯片双面腔式封装结构,其特征在于,所述一体化双面腔体包括上、下两个深腔,上深腔内设有多个嵌入式台阶腔体,作为多层芯片叠装的空间,下深腔内安装所述无源元件一体板。

3.根据权利要求2所述的多芯片双面腔式封装结构,其特征在于,所述上深腔内设有多层台阶键合区域,用于降低键合点之间的高度差以实现多层芯片的空间键合走线,进而实现产品的电气连接。

4.根据权利要求2所述的多芯片双面腔式封装结构,其特征在于,所述一体化双面腔体还包括分别装配在上下两个深腔上的上盖板和下盖板,以形成密封腔体结构;所述上盖板、下盖板与上下两个深腔之间为独立结构或一体化结构。<...

【专利技术属性】
技术研发人员:臧艳丽高虎丁成洋王洋刘盖特徐绕琪张甜张永浩姚海涛武林王建成
申请(专利权)人:连云港杰瑞电子有限公司
类型:新型
国别省市:

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