MRAM芯片的写入电压的脉宽确定方法及其确定装置制造方法及图纸

本申请提供了一种MRAM芯片的写入电压的脉宽确定方法及其确定装置。该方法包括：首先，获取当前写入脉宽以及预定时间段内的多个预定参数，多个预定参数组成预定参数组，预定参数用于表征芯片所在的环境参数，当前写入脉宽为芯片当前的实际脉宽；然后，根据预定参数组以及当前写入脉宽，确定目标写入脉宽，目标写入脉宽为芯片的写入电压对应的脉宽；最后，发出目标写入脉宽至芯片，使得芯片控制写入电压的实际脉宽为目标写入脉宽。通过多个预定参数以及当前写入脉宽来确定目标写入脉宽，使得可以根据获取的环境参数确定当前写入脉宽，解决了现有技术中MRAM由于受到外部环境的干扰导致性能较差的问题，保证了MRAM芯片的性能较好。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及存储器领域，具体而言，涉及一种mram芯片的写入电压的脉宽确定方法、其确定装置、计算机可读存储介质以及mram芯片的写入电路。

技术介绍

1、自旋转移技术-磁性随机存储器(spin transfer torque magnetoresistiverandom access memory，简称stt-mram)是一种非易失的新型存储器，具有高速读写能力以及可实现无限次擦写的特性。

2、stt-mram主要由磁性薄膜组成，其稳定性会受到磁场以及温度等外界因素的干扰，为了允许mram产品在存在外部磁场的情况下操作，目前已经提出了的磁屏蔽以及关闭芯片等解决方案。但是，磁屏蔽方式的价格昂贵且操作复杂，关闭芯片则会降低芯片性能。

3、因此，目前亟需一种方式，来提高芯片寿命或可擦写次数(endurance)，同时降低写入错误率(word error rate，简称wer)。

技术实现思路

1、本申请的主要目的在于提供一种mram芯片的写入电压的脉宽确定方法、其确定装置、计算机可读存储介质以本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MRAM芯片的写入电压的脉宽确定方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定参数组中的多个所述预定参数按照获取的时间顺序排列，根据所述预定参数组以及所述当前写入脉宽，确定目标写入脉宽，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述第二数值以及所述当前写入脉宽，确定所述目标写入脉宽，包括：

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据预定变化率以及所述当前写入脉宽，确定所述目标写入脉宽，包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在获取预定时间段内的多个预定参数，多个所述预定...

【技术特征摘要】

1.一种mram芯片的写入电压的脉宽确定方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定参数组中的多个所述预定参数按照获取的时间顺序排列，根据所述预定参数组以及所述当前写入脉宽，确定目标写入脉宽，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述第二数值以及所述当前写入脉宽，确定所述目标写入脉宽，包括：

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据预定变化率以及所述当前写入脉宽，确定所述目标写入脉宽，包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在获取预定时间段内的多个预定参数，多个所述预定参数组成预定参数组之后，所述方法还包括：

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定参数包括磁场以及温度中之一。

7.一种mram芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：付婷，严政人，杨晓蕾，曹倩，孙娟娟，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：