【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体领域，尤其涉及一种偏移补偿方法、存储器及其电子设备。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)由于高密度、低功耗、低价格等优点，已广泛应用于各种电子设备中。灵敏放大器(sense amplifier，sa)是半导体存储器的一个重要组成部分，其主要作用是通过一对n型场效应管和一对p型场效应管将位线上的小信号进行放大，从而执行读取或写入操作。但是，由于工艺等原因，灵敏放大器中各晶体管的工作参数不同，从而引起失配问题，严重影响半导体存储器的性能。
技术实现思路
1、本公开提供了一种偏移补偿方法、存储器及其电子设备。
2、本公开的技术方案是这样实现的：
3、第一方面，本公开实施例提供了一种偏移补偿方法，应用于灵敏放大器，所述灵敏放大器包括呈交叉耦合连接的第一n型场效应管、第二n型场效应管、第一p型场效应管和第二p型场效应管，且所述第一n型场效应管的栅极和漏极之间设置有第一偏移消除器件，所述第二n型...
【技术保护点】
1.一种偏移补偿方法，其特征在于，应用于灵敏放大器，所述灵敏放大器包括呈交叉耦合连接的第一N型场效应管、第二N型场效应管、第一P型场效应管和第二P型场效应管，且所述第一N型场效应管的栅极和漏极之间设置有第一偏移消除器件，所述第二N型场效应管的栅极和漏极之间设置有第二偏移消除器件，且所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的偏移补偿方法，其特征在于，所述控制所述第一偏移消除器件的栅极电压和所述第二偏移消除器件的栅极电压处于第一电压范围，包括：
3.根据权利要求2所述的偏移补偿方法，其特征在于，所述控制所述第一偏移消除器件的栅极电压和所述第二偏移消除...
【技术特征摘要】
1.一种偏移补偿方法，其特征在于，应用于灵敏放大器，所述灵敏放大器包括呈交叉耦合连接的第一n型场效应管、第二n型场效应管、第一p型场效应管和第二p型场效应管，且所述第一n型场效应管的栅极和漏极之间设置有第一偏移消除器件，所述第二n型场效应管的栅极和漏极之间设置有第二偏移消除器件，且所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的偏移补偿方法，其特征在于，所述控制所述第一偏移消除器件的栅极电压和所述第二偏移消除器件的栅极电压处于第一电压范围，包括：
3.根据权利要求2所述的偏移补偿方法，其特征在于，所述控制所述第一偏移消除器件的栅极电压和所述第二偏移消除器件的栅极电压处于第二电压范围，包括：
4.根据权利要求2所述的偏移补偿方法，其特征在于，所述偏移消除阶段包括第一消除阶段和第二消除阶段，所述第二消除阶段发生于所述第一消除阶段之后；所述控制所述第一偏移消除器件的栅极电压和所述第二偏移消除器件的栅极电压处于第二电压范围，还包括：
5.根据权利要求3所述的偏移补偿方法，其特征在于，所述偏移消除阶段包括第一消除阶段和第二消除阶段，所述第二消除阶段发生于所述第一消除阶段之后；所述控制所述第一偏移消除器件的栅...
【专利技术属性】
技术研发人员：曺奎锡，程志君，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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