一种改善金属台阶覆盖率的半导体器件及其制备方法技术

技术编号:43577795 阅读:21 留言:0更新日期:2024-12-06 17:44
本发明专利技术公开了一种改善金属台阶覆盖率的半导体器件及其制备方法,包括在衬底表面生长氮化钽层;在所述氮化钽层表面生长铝铜合金层,对所述铝铜合金层表面进行改性,得到疏光刻胶表面;在所述疏光刻胶表面涂光刻胶,对所述光刻胶进行图形化,形成光阻层;对所述铝铜合金层进行湿法腐蚀,形成上窄下宽的斜坡结构;在所述铝铜合金层的斜坡结构表面沉积氮化硅作为绝缘层;在所述绝缘层上生长顶层金属,对所述顶层金属光刻刻蚀形成金属图案。本发明专利技术通过降低台阶侧壁垂直度,形成一定角度的斜坡,使绝缘介质DEP沉积后对金属台阶的覆盖性高、均一性好、稳定性强,从而更好地电绝缘上下两层金属,使芯片有效工作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种改善金属台阶覆盖率的半导体器件及其制备方法


技术介绍

1、微流控生物芯片是一种由微加工技术制造而成的微型芯片,内部包含了微小的通道网络和相应的控制元件,可以进行精确的流体操控,具有快速、高效、可重复性和低成本等优势。随着微加工技术和材料科学的不断发展,微流控芯片广泛应用于在生命科学研究、化学分析及实验室诊断和个性化医疗等领域。

2、微流控生物芯片对内部的电绝缘要求较高,内部电路的短接将直接影响产品性能。微流控生物芯片要求内部绝缘膜具有较好的绝缘性,对绝缘膜的覆盖性、均一性提出了很高的要求。当前在生物芯片的制备过程中,刻蚀工艺刻蚀台阶的侧壁垂直度较大,后续利用dep工艺在台阶上形成的绝缘膜层,对金属台阶覆盖均一性较差,尤其在台阶侧壁拐角处形成的绝缘膜层较薄,再溅射一层金属,在绝缘层较薄区域,上下层金属易产生电压击穿(break down),形成短路,造成芯片功能失效。


技术实现思路

1、为解决上述技术问题,本专利技术提供一种改善金属台阶覆盖率的半本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改善金属台阶覆盖率的方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种改善金属台阶覆盖率的方法,其特征在于:所述步骤二中,对所述铝铜合金层表面进行改性:通过四甲基氢氧化铵溶液对所述铝铜合金层表面进行预处理。

3.根据权利要求2所述的一种改善金属台阶覆盖率的方法,其特征在于:所述步骤二中,所述预处理时间为1~3min。

4.根据权利要求1所述的一种改善金属台阶覆盖率的方法,其特征在于:所述步骤三中,对所述光刻胶进行图形化时,不进行硬烘烤处理。

5.根据权利要求1所述的一种改善金属台阶覆盖率的方法,其特征在于:所述步骤四中,所述斜坡...

【技术特征摘要】

1.一种改善金属台阶覆盖率的方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种改善金属台阶覆盖率的方法,其特征在于:所述步骤二中,对所述铝铜合金层表面进行改性:通过四甲基氢氧化铵溶液对所述铝铜合金层表面进行预处理。

3.根据权利要求2所述的一种改善金属台阶覆盖率的方法,其特征在于:所述步骤二中,所述预处理时间为1~3min。

4.根据权利要求1所述的一种改善金属台阶覆盖率的方法,其特征在于:所述步骤三中,对所述光刻胶进行图形化时,不进行硬烘烤处理。

5.根据权利要求1所述的一种改善金属台阶覆盖率的方法,其特征在于:所述步骤四中,所述斜坡结构的角度为35°~85°。

6.根据权利要求1所述的一种改善金属台...

【专利技术属性】
技术研发人员:傅小群徐云霞谷雨吴俊李建林
申请(专利权)人:上海新微技术研发中心有限公司
类型:发明
国别省市:

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