支路进气结构及等离子体刻蚀设备制造技术

本技术提供支路进气结构及等离子体刻蚀设备，环形匀气管的b个喷气孔与喷气结构可拆卸连接，其他喷气孔与堵头结构可拆卸连接，喷气结构由第一连接管道和喷气面组成，环形匀气管内的流体可从喷气面喷出；堵头结构由第二连接管道和堵头面组成，环形匀气管内的流体无法从堵头面喷出。本技术通过在环形匀气管设置堵头结构和喷气结构，低成本提高晶圆边缘的等离子体刻蚀均匀性；同时通过可拆卸的堵头结构和喷气结构，低成本实现对不同晶圆边缘均匀性的灵活适应；另外，通过设置喷气结构的角度和通气小孔的分布形状，进一步提高对晶圆边缘等离子体刻蚀均匀性；最后通过堵头结构和喷气结构中心对称分布，提高晶圆边缘均匀性的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体设备领域，特别是涉及支路进气结构及等离子体刻蚀设备。

技术介绍

1、在等离子体刻蚀工艺中，等离子体刻蚀均匀性是较为重要的参数之一，而影响均匀性最主要因素是等离子体刻蚀的反应腔内等离子体的分布，反应腔的结构和进气结构共同决定了等离子体的分布。

2、目前普遍在反应腔顶部开设喷气孔，并通过调控顶部的喷气孔在晶圆的中心、边缘或整面的区域位置控制等离子体刻蚀气体在晶圆表面整体的分布均匀性，但由于反应腔顶部的喷气孔喷出的气体垂直向下落在晶圆表面，难以对晶圆的边缘进行均匀性的高精度调整，因此在晶圆的边缘区域仍存在明显的均匀性较差的问题，导致形成的实际cd(critical dimension，关键尺寸)与目标cd偏差较大。

3、现有技术中部分还会增加一条进气支路，通过stg(side tuning gas，侧面微调气体)从斜角方向对晶圆进行喷气，以提高晶圆的边缘处的均匀性。然而，stg只能对晶圆的边缘整体进行均匀性的统一调整，难以对晶圆上在边缘处的不同位置进行不同的均匀性调整。而在晶圆的边缘更容易存在cd偏大或偏小的热点区域(ho本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种支路进气结构，其特征在于，所述支路进气结构包括：环形匀气管、堵头结构和喷气结构；

2.根据权利要求1所述的支路进气结构，其特征在于，所述堵头结构以所述环形匀气管的中心点为中心呈中心对称分布。

3.根据权利要求1所述的支路进气结构，其特征在于，所述喷气孔内侧面有螺纹，所述第一连接管道和所述第二连接管道的外侧面有与所述喷气孔内侧面对应的螺纹，所述第一连接管道、所述第二连接管道均可与所述喷气孔通过所述螺纹可拆卸连接。

4.一种支路进气结构，其特征在于，所述支路进气结构包括：环形匀气管、开关结构和喷气结构；

5.根据权利要求4所述的支路进气...

【技术特征摘要】

1.一种支路进气结构，其特征在于，所述支路进气结构包括：环形匀气管、堵头结构和喷气结构；

2.根据权利要求1所述的支路进气结构，其特征在于，所述堵头结构以所述环形匀气管的中心点为中心呈中心对称分布。

3.根据权利要求1所述的支路进气结构，其特征在于，所述喷气孔内侧面有螺纹，所述第一连接管道和所述第二连接管道的外侧面有与所述喷气孔内侧面对应的螺纹，所述第一连接管道、所述第二连接管道均可与所述喷气孔通过所述螺纹可拆卸连接。

4.一种支路进气结构，其特征在于，所述支路进气结构包括：环形匀气管、开关结构和喷气结构；

5.根据权利要求4所述的支路进气结构，其特征在于，所述开关结构为可自动控制的开关阀门。

6.根据权利要求4所述的支路进气结构，其特征在于，所述开关结构以所述环形匀气管的中心点为中心呈...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪勋，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：