【技术实现步骤摘要】
本公开涉及太阳能电池及其制造方法，更具体地，涉及具有改进结构和工艺的太阳能电池及其制造方法。
技术介绍
1、已经提出和使用了其中具有掺杂剂的半导体层形成在半导体基板的至少一个表面上并且用作导电类型区域的太阳能电池。由于太阳能电池的钝化特性(passivationcharacteristic)对效率具有很大影响，因此已经提出了用于改善太阳能电池的钝化特性的各种方法。
2、美国专利no.9716204公开了一种制造太阳能电池的方法，其中将收集不同载流子的第一导电类型区域和第二导电类型区域形成为各自具有掺杂剂的半导体层，并且通过氢气气氛注入和钝化氢。然而，当第一导电类型区域和第二导电类型区域由各自具有掺杂剂的半导体层形成时，与半导体基板的界面特性劣化，这可能在提高太阳能电池的效率方面具有限制。另外，当通过氢气气氛注入氢时，氢注入效应可能不是很大。另外，在电极设置在两侧的结构中，由于电极完全形成在后表面上，材料成本可能增加，并且没有设置用于改善后表面上的钝化特性的层、结构等。
技术实现思路
...【技术保护点】
1.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第二铝氧化物层用作固定电荷钝化层。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述第二铝氧化物层通过负固定电荷实现固定电荷钝化。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一介电层包括硅氮化物、硅氧化物或硅氮氧化物。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一铝氧化物层的厚度小于所述第一介电层的厚度。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一铝氧化物层中的每单位体积的氢含量大于所述第一介电...
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第二铝氧化物层用作固定电荷钝化层。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述第二铝氧化物层通过负固定电荷实现固定电荷钝化。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一介电层包括硅氮化物、硅氧化物或硅氮氧化物。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一铝氧化物层的厚度小于所述第一介电层的厚度。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一铝氧化物层中的每单位体积的氢含量大于所述第一介电层中的每单位体积的氢含量。
7.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：金圣辰，郑柱和，崔亨旭，张元宰，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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