【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种电子元器件的接合方法与巨量转移电子元器件的方法。
技术介绍
1、发光二极管具备主动发光、高亮度、节省能源等优点，因此已经广泛地被应用于照明、显示器、投影机等
中，且微发光二极管显示器(micro led display)已逐渐成为新一代的显示技术。惟，一个高密度(fhd：full high density)的显示器具有1920行x1080列大约200万个画素，每一个画素还要再分为红、绿、蓝三个次画素(sub pixel)，因此一个高密度发光二极管显示器(fhd led display)总共有大约600万个led晶粒(die)，要将600万个晶粒切割后黏贴在显示器面板的基板上，其关键技术在于如何将具量的微型发光二极管精确地转移至显示器面板的基板上并加以固定接合。
2、习知的电子元器件接合方法主要是利用回流焊接方式，使电子元器件藉由锡膏加热回流后而被焊接到一目标基板上。惟，回流焊接方式的缺点在于在回流过程中，因会有受热不均导致电子元器件飘移、锡膏量过多导致电子元器件短路、锡膏量过少导致空焊或回流温度过低
【技术保护点】
1.一种电子元器件的接合方法，其特征在于包括下列步骤：
2.如权利要求1所述的电子元器件的接合方法，其中前述目标基板为一半导体基板、一陶瓷基板、一金属基板、一玻璃基板、一印刷电路板、或一软性印刷电路板。
3.如权利要求2所述的电子元器件的接合方法，其中前述软性印刷电路板包括：
4.如权利要求1所述的电子元器件的接合方法，其中前述电子元器件为选自一个由发光二极管、激光二极管及半导体元器件所构成的群组。
5.如权利要求4所述的电子元器件的接合方法，其中前述发光二极管所发出的光为红光、绿光、蓝光、黄光、白光、红外光或紫外光。<...
【技术特征摘要】
1.一种电子元器件的接合方法，其特征在于包括下列步骤：
2.如权利要求1所述的电子元器件的接合方法，其中前述目标基板为一半导体基板、一陶瓷基板、一金属基板、一玻璃基板、一印刷电路板、或一软性印刷电路板。
3.如权利要求2所述的电子元器件的接合方法，其中前述软性印刷电路板包括：
4.如权利要求1所述的电子元器件的接合方法，其中前述电子元器件为选自一个由发光二极管、激光二极管及半导体元器件所构成的群组。
5.如权利要求4所述的电子元器件的接合方法，其中前述发光二极管所发出的光为红光、绿光、蓝光、黄光、白光、红外光或紫外光。
6.如权利要求4所述的电子元器件的接合方法，其中前述激光二极管的波长介于390纳米至1700纳米。
7.如权利要求4所述的电子元器件的接合方法，其中前述半导体元器件为选自一个由处理器、内存集成電路、微元器件集成電路、逻辑集成電路及模拟集成電路所构成的群组。
8.如权利要求1所述的电子元器件的接合方法，其中前述至少一电极及/或前述至少一焊垫的材料分别为金属、金属合金或金属氧化物。
9.如权利要求1所述的电子元器件的接合方法，更包括形成一焊料于前述至少一焊垫上及/或前述至少一电极上的步骤，使前述电子元器件的至少一电极与前述目标基板的至少一电极藉由前述焊料而间接接触，并使前述焊料被前述激光直接或间接加热，以获得一被加热的焊料，进而使前述电子元器件的至少一电极藉由前述被加热的焊料而被接合在前述目标基板的接合区的至少一焊垫上。
10.如权利要求1所述的电子元器件的接合方法，其中前述激光的波长介于190納米～11000納米。
11.如权利要求1至10中任一项所述的电子元器件的接合方法，更包括设置一透明或半透明介质层于前述电子元器件本体的第二上表面的步骤，其中前述激光是经由前述透明或半透明介质层自前述电子元器件的上方朝前述电子元器件本体照射。
12.如权利要求1至10中任一项所述的电子元器件的接合方法，更包括设置一透明或半透明介质层于目标基板的第一下表面上的步骤，其中前述激光是经由前述透明或半透明介质层自前述目标基板的下方朝前述目标基板照射。
13.一种巨量转移电子元器件的方法，其特征在于包括下列步骤：
14.如权利要求13所述的巨量转移电子元器件的方法，其中前述目标基板为一半导体基板、一陶瓷基板、一金属基板、一玻璃基板、一印刷电路板、或一软性印刷电路板。
15.如权利要求14所述的巨量转移电子元器件的方法，其中前述软性印刷电路板包括：
16.如权利要求13所述的巨量转移电子元器件的方法，其中前述多个电子元器件为选自一个以上由发光二极管、激光二极管及半导体元器件所构成的群组。
17.如权利要求16所述的巨量转移电子元器件的方法，其中前述多个发光二极管所发出的光为红光、及/或绿光、及/或蓝光、及/或黄光、及/或白光、及/或红外光、及/或紫外光。
18.如权利要求16所述的巨量转移电子元器件的方法，其中前述多个激光二极管的波长介于390纳米至1700纳米。
19.如权利要求16所述的巨量转移电子元器件的方法，其中前述多个半导体元器件为选自一个以上由处理器、内存集成電路、微元器件集成電路、逻辑集成電路及模拟集成電路所构成的群组。
20.如权利要求13所述的巨量转移电子元器件的方法，其中每一前述多个电子元器件的至少一电极及/或每一前述多个接合区的至少一焊垫的材料分别为金属、金属合金或金属氧化物。
21.如权利要求13所述的巨量转移电子元器件的方法，更包括形成一焊料于前述目标基板的每一前述多个接合区的至少一焊垫上及/或每一前述多个电子元器件的至少一电极上的步骤，使每一前述多个电子元器件的至少一电极与前述目标基板的每一前述多个接合...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶庭弼，
申请(专利权)人：前源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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