【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、随着半导体集成电路(integrated circuit，ic)产业的快速成长，半导体技术在摩尔定律的驱动下持续地朝更小的工艺节点迈进，使得集成电路朝着体积更小、电路精密度更高、电路复杂度更高的方向发展。
2、在集成电路发展过程中，通常功能密度(即每一芯片的内连线结构的数量)逐渐增加的同时，几何尺寸(即利用工艺步骤可以产生的最小元件尺寸)逐渐减小，这相应增加了集成电路制造的难度和复杂度。
3、在技术节点不断缩小的情况下，如何提高半导体结构的性能成了一种挑战。
技术实现思路
1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以提高半导体结构的性能。
2、为解决上述问题，本专利技术实施提供一种半导体结构，包括：基底；待连接结构，位于所述基底上；互连结构，位于所述待连接结构的顶部，所述互连结构包括底部互连结构、以及位于所述底部互连结构上的顶部互连结构，沿垂直于...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿所述基底顶面的法线方向，所述底部互连结构的高度大于1纳米。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，沿所述基底顶面的法线方向，所述顶部互连结构的高度大于1纳米。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿垂直于所述互连结构侧壁的方向，所述顶部互连结构暴露的底部互连结构顶部的宽度范围为1纳米至10纳米。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述待连接结构包括：源漏互连层、金属互连层和器件栅极结构中的一种或多种；所述...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿所述基底顶面的法线方向，所述底部互连结构的高度大于1纳米。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，沿所述基底顶面的法线方向，所述顶部互连结构的高度大于1纳米。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿垂直于所述互连结构侧壁的方向，所述顶部互连结构暴露的底部互连结构顶部的宽度范围为1纳米至10纳米。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述待连接结构包括：源漏互连层、金属互连层和器件栅极结构中的一种或多种；所述互连结构包括源漏插塞、通孔互连结构和栅极插塞中的一种或多种。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述待连接结构的材料包括括钴、镍、铝、铜、钌、铑、锇、钯、铱、铂及其合金中的一种或多种；所述互连结构的材料包括钨、钴、镍、铝、铜、钌、铑、锇、钯、铱、铂、镍、铝及其合金中的一种或多种。
7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：侧墙层，位于所述顶部互连结构的侧壁和介质层之间，并覆盖露出于所述顶部互连结构的所述底部互连结构的顶部。
8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述侧墙层的材料包括sio、sin、sic、sico、sicon、ti、tin、ta和tan中的一种或多种。
9.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述介质层中形成凹槽的步骤包括：在所述介质层中形成初始凹槽，所述初始凹槽暴露待连接结构的顶部；在靠近所述初始凹槽的顶部位置处，形成覆盖所述初始凹槽的部分侧壁的侧墙层，形成有所述侧墙层的初始凹槽作为凹槽，且在所述凹槽中，所述侧墙层所在高...
【专利技术属性】
技术研发人员：付宇，薛晓凡，柴杉杉，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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