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一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括基底；待连接结构，位于基底上；互连结构，位于待连接结构的顶部，互连结构包括底部互连结构、以及位于底部互连结构上的顶部互连结构，沿垂直于互连结构侧壁的方向，顶部互连结构的宽度小于底部互连结构的宽度；介...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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