【技术实现步骤摘要】
本技术涉及沉积设备，尤其涉及一种反应腔的红外测温仪的安装结构及沉积设备。
技术介绍
1、沉积设备用于在基板上生长单晶或多晶半导体薄膜的制备。半导体薄膜制备方法主要通过对基底加热使两种或两种以上气体发生一系列化学反应来生成需要的薄膜。在制备工艺过程中，温度是外延生长的重要工艺参数，直接影响外延层的晶体质量。除了需要对反应腔内放置外延片的石墨盘进行温度检测和控制之外，还必须对顶部石墨盖板上表面的温度进行精确在线监测与控制，为反应腔内的温场分布和变化提供数据支撑。
2、由于顶部石墨盖板温度较高，通常使用红外测温仪进行非接触式高温检测。根据红外测温仪的工作原理，如图1所示，红外测温仪检测目标直径和测量距离有关，检测目标直径越大，测量距离越大，所以为了得到更准确的目标直径，需要严格控制红外测温仪和被测物，即顶部石墨盖板的上表面的距离。但是现有的红外测温仪直接与反应腔上盖板螺纹连接，无法调整红外测温仪与顶部石墨盖板的上表面之间的距离，在零件加工误差和装配误差的影响下，红外测温仪到被测石墨盖板的实际距离将与理论设计相差甚远，即无法保证检测...
【技术保护点】
1.反应腔的红外测温仪的安装结构，反应腔包括顶板(100)和设于所述顶板(100)内的顶部盖板(200)，红外测温仪(300)设于所述顶板(100)上，用于检测所述顶部盖板(200)的温度，其特征在于，所述安装结构包括：
2.根据权利要求1所述的反应腔的红外测温仪的安装结构，其特征在于，所述第一安装腔(11)包括沿所述安装底座(1)的轴线方向依次设置的第一腔(111)和第二腔(112)，所述第一腔(111)的内径小于所述第二腔(112)的内径，所述红外测温仪(300)一端设于所述第一腔(111)，另一端设于所述第二腔(112)，所述密封组件(3)设于所述第...
【技术特征摘要】
1.反应腔的红外测温仪的安装结构，反应腔包括顶板(100)和设于所述顶板(100)内的顶部盖板(200)，红外测温仪(300)设于所述顶板(100)上，用于检测所述顶部盖板(200)的温度，其特征在于，所述安装结构包括：
2.根据权利要求1所述的反应腔的红外测温仪的安装结构，其特征在于，所述第一安装腔(11)包括沿所述安装底座(1)的轴线方向依次设置的第一腔(111)和第二腔(112)，所述第一腔(111)的内径小于所述第二腔(112)的内径，所述红外测温仪(300)一端设于所述第一腔(111)，另一端设于所述第二腔(112)，所述密封组件(3)设于所述第一腔(111)和所述第二腔(112)之间的阶梯面。
3.根据权利要求2所述的反应腔的红外测温仪的安装结构，其特征在于，所述密封组件(3)包括轴向密封环(31)、第一密封圈(32)和第二密封圈(33)，所述轴向密封环(31)套设于所述红外测温仪(300)的外周，所述第一密封圈(32)和所述第二密封圈(33)分别位于所述轴向密封环(31)沿轴线方向的两端。
4.根据权利要求3所述的反应腔的红外测温仪的安装结构，其特征在于，所述轴向密封环(31)远离所述第一腔(111)的一端设置有第一内倒角，所述第一内倒角和所述红外测温仪(300)的外周围合形成第一密封槽，所述第一密封圈(32)设于所述第一密封槽内；所述第一腔(111)和所述第二腔(112)之间的连接处设置有第二内倒角，所述第二内倒角和所述红外测温仪(300)的外周围合形成第二密封槽，所述第二密封圈(33)设于所述第二密封槽内。
5.根据权利要求2所述的反应腔的红外测温仪的安装结构，其特征在于，所述固定压紧件(2)内设有与所述第一安装腔(11)同轴设置的第二安装腔(21)，所述固定压紧件(2)的一端插设于所述第二腔(112)和所述红外测温仪(300)之间，所述红外测温仪(300)远离所述第一腔(111)的一端与所述第二安装腔(21)配合。
6.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：傅林坚，刘毅，曹建伟，朱亮，梁旭，毛敏，
申请(专利权)人：浙江求是半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：
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