【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储器数据测试，尤其是指一种存储器测试向量生成方法。
技术介绍
1、现阶段中，eeprom、flash等存储器被广泛应用于电子信息行业，为了保证其可靠性，必须进行测试。目前对存储器的ate测试需要包含对其全地址进行数据读写功能的测试，由于存储器的容量越来越大，全地址测试向量少则百万行，多则千万上亿行，人工编写测试向量过程复杂工作量大，且人为编码易出错。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种存储器测试向量生成方法，所述生成方法实现对存储器全地址测试向量的自定义编写，包括如下步骤：
2、步骤s1：根据被测存储器的通信方式确定测试指令向量的编码格式，并根据被测存储器的管脚顺序生成单行测试向量；
3、步骤s2：根据配置指令，存储单元地址，数据读写、擦除等测试指令的内容，按照单行测试向量的格式循环编写每段测试指令对应的串行测试指令向量；
4、步骤s3：根据配置指令，存储单元地址，数据读写、擦除，这些测试指令的写入顺序组合对应的串...
【技术保护点】
1.一种存储器测试向量生成方法，所述生成方法实现对存储器全地址测试向量的自定义编写，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的存储器测试向量生成方法，其特征在于：步骤S1中确定测试指令向量的编码格式，包括采用SPI通信协议的存储器其测试向量采用上升沿读写数据的方式，采用I2C通信协议的存储器其测试向量在编码时需对每段测试向量添加校验行；随后根据被测存储器的管脚顺序确定所需生成的单行测试向量的编码位顺序，其中被测存储器的管脚顺序可由测试工程师自定义排序，并以被测存储器的初始化状态作为测试向量的起始行，据此生成的单行测试向量为后续编写测试指令向量集的
<...【技术特征摘要】
1.一种存储器测试向量生成方法，所述生成方法实现对存储器全地址测试向量的自定义编写，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的存储器测试向量生成方法，其特征在于：步骤s1中确定测试指令向量的编码格式，包括采用spi通信协议的存储器其测试向量采用上升沿读写数据的方式，采用i2c通信协议的存储器其测试向量在编码时需对每段测试向量添加校验行；随后根据被测存储器的管脚顺序确定所需生成的单行测试向量的编码位顺序，其中被测存储器的管脚顺序可由测试工程师自定义排序，并以被测存储器的初始化状态作为测试向量的起始行，据此生成的单行测试向量为后续编写测试指令向量集的最小单位。
【专利技术属性】
技术研发人员：孙磊，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：
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