用于磁控溅射的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于借助于磁控溅射在沉积室(12)中在应用至少一个磁控管(16；16a，16b)的情况下在基底上沉积层的方法，在所述磁控管处施加有电供给电压，其包括三种相叠加的电激励形式(60、62、64)。所述电激励形式包括通过具有1MHz至10GHz的频率的高频电压所形成的第一激励形式(60)、以具有100Hz至5kHz的频率的高能脉冲(HIPIMS)为形式的第二激励形式(62)和通过具有在10kHz与100kHz之间的频率的脉冲直流电压或中频交流电压所形成的第三激励形式(64)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于借助于磁控溅射在沉积室中在应用至少一个磁控管的情况下在基底上沉积层的方法。

技术介绍

1、磁控溅射用于沉积层是熟知的，其中，一直期望获得高沉积速率并且保证良好且可复制的工艺控制。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是，改善用于借助于磁控溅射在基底上沉积层的方法，以在可复制的工艺条件下获得较高的沉积速率。

2、该任务借助根据权利要求1所述的方法并且借助根据权利要求10所述的磁控溅射设备来解决。本专利技术的有利的改进方案是从属权利要求的主题。本专利技术的有利的改进方案同样在说明书中并且在附图中被公开。

3、根据本专利技术，在该方法中应用至少一个磁控管，在所述磁控管处施加有电供给电压，其具有三种相叠加的电激励形式，即具有1mhz至10ghz的频率的高频(rf)电压、以具有在100hz与5khz之间的频率的高能脉冲(hipims)为形式的第二激励形式和通过具有在10khz与100khz之间的频率的脉冲直流电压或交流电压所形成的第三激励形式。已证明的是，磁控管的具有上面所描本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.用于借助于磁控溅射在沉积室(12)中在应用至少一个磁控管(16；16a，16b)的情况下在基底上沉积层的方法，在所述磁控管处施加有电供给电压，所述供给电压包括相叠加的三种电激励形式(60、62、64)，所述三种电激励形式包括通过具有1MHz至10GHz的频率的高频所形成的第一激励形式(60)、以具有100Hz至5kHz的频率的高能脉冲(HIPIMS)为形式的第二激励形式(62)和通过具有在10kHz与100kHz之间的频率的脉冲直流电压或交流电压所形成的第三激励形式(64)。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述三种激励形式(60、62、64)中的至少两种、优选...

【技术特征摘要】

1.用于借助于磁控溅射在沉积室(12)中在应用至少一个磁控管(16；16a，16b)的情况下在基底上沉积层的方法，在所述磁控管处施加有电供给电压，所述供给电压包括相叠加的三种电激励形式(60、62、64)，所述三种电激励形式包括通过具有1mhz至10ghz的频率的高频所形成的第一激励形式(60)、以具有100hz至5khz的频率的高能脉冲(hipims)为形式的第二激励形式(62)和通过具有在10khz与100khz之间的频率的脉冲直流电压或交流电压所形成的第三激励形式(64)。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述三种激励形式(60、62、64)中的至少两种、优选全部三种激励形式时间上同步地被供应。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述高能脉冲(hipims)具有大于10μs的脉冲持续时间和在15kw与10mw之间的脉冲功率。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，布置在沉积室(12)中的基底载体(24)被加载以电偏置信号。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述偏置信号与磁控管(16；16a，16b)的所述三种激励形式(60、62、64)中的至少一种激励形式同步。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述偏置信号包括dc信号、高频信号和/或脉冲信号。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述偏置信号的脉冲信号相比于第二激励形式(62)在时间上滞后。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，应用单个磁控管(16)，并且用于全部三种激励形式(60、62、64)的参考电势为地电势。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在第二激励形式(62)的高能脉冲之前输出短暂的预脉冲，以提高在沉积室(12)中的离子化。

10.一种用于在基底上沉积层的磁控溅射设备，所述磁控溅射设备包括沉积室(12)、基底支承装置(24)而且包括布置在沉积室(12)中的至少一个磁控管(16；16a，16b)，所述磁控管与至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·马克，J·勒夫勒，
申请(专利权)人：梅勒克有限公司，
类型：发明
国别省市：