GaN功率放大器内匹配设计方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

本申请公开了一种GaN功率放大器内匹配设计方法、装置、设备及存储介质，在获取到GaN功率放大器采用的内匹配拓扑结构对应的输入参数的初始值后，利用贝叶斯优化算法自动完成对输入参数的数据扩充、仿真结果的输出以及最优参数确定。根据本申请实施例，提供给工程师无需调整参数、无需等待仿真完成、无需考虑调整内匹配拓扑结构的自动优化过程，相比于传统的设计方案，有效的缩短了仿真周期，降低了工程师在研发设计过程中所需花费的时间和精力。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于射频功率放大器件设计，尤其涉及一种gan功率放大器内匹配设计方法、装置、设备及存储介质。

技术介绍

1、电路匹配通常指阻抗匹配，主要用于将输入端和输出端的阻抗匹配到指定的目标值。电路匹配通常可以分为内匹配和外匹配，其中，外匹配主要是在pcb电路板上由微带线和贴片电容实现，内匹配主要通过设置内匹配电路来实现。目前基于gan(氮化镓)的功率放大器(power amplifier，简称pa)芯片，也即gan功率放大器，一般是通过对内匹配电路进行设计优化，调整输入输出的阻抗位置，使芯片的性能更好在pcb电路板上发挥出来。

2、现有的针对gan功率放大器的内匹配设计流程如图1所示，其主要包括以下步骤：预设匹配后gan功率放大器的裸管die中的阻抗位置，在smith chart(史密斯圆图)中预估匹配的方式和参与匹配的无源器件的参数，确定匹配网络，在匹配网络的原理图上s参数仿真控制器，并对实际参与芯片封装的键合线bonding wire进行形状、尺寸、以及数量的设置，进行原理图仿真，得到电感值和s参数，对匹配网络中的无源器件进行建模得到电磁模型，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种GaN功率放大器内匹配设计方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述初始值进行数据扩充，得到所述输入参数对应的N组参数值，包括：

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述根据所述参数在所述内匹配拓扑结构对应的原理图中进行电磁EM仿真和小信号S参数仿真，得到所述参数值对应的目标函数值，包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述参数值设置预设的参数化电磁模型中相关参数的值，得到目标参数化电磁模型之前，所述方法还包括：

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据N...

【技术特征摘要】

1.一种gan功率放大器内匹配设计方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述初始值进行数据扩充，得到所述输入参数对应的n组参数值，包括：

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述根据所述参数在所述内匹配拓扑结构对应的原理图中进行电磁em仿真和小信号s参数仿真，得到所述参数值对应的目标函数值，包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述参数值设置预设的参数化电磁模型中相关参数的值，得到目标参数化电磁模型之前，所述方法还包括：

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据n组所述参数值和n组所述参数值对应的目标函数值进行自动参数优化...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚海，
申请(专利权)人：苏州华太电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：