【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路，具体涉及一种对芯片电路设计进行性能评估的方法、装置、电子设备及存储介质。
技术介绍
1、芯片制造中使用的金属填充技术（dummy fill technique），是一种通过在芯片电路布局中的空洞（即没有任何金属互连线的区域）中填充金属，以填补不均匀的表面，提高金属层的平坦性的技术，可以有效地减少化学机械抛光（chemical mechanicalplanarization，cmp）过程中的局部过度抛光或不足抛光现象，提高芯片的制造质量和可靠性。
2、由于金属填充物在芯片电路中是真实存在的金属材料，与芯片的其他部分具有相似的电性能和热性能，因此，随着先进工艺节点下的芯片设计对性能的要求变得更加严格，需要在对芯片电路进行设计迭代时，正确评估这些金属填充物的影响。
3、传统考虑插入金属填充物进行设计迭代的过程中，在每次迭代优化时均需要对当前迭代版本的电路进行金属填充设计来获得芯片电路设计文件（包括金属填充物图形的信息文件，类型一般是gdsii和oasis），以此更新提取寄生参数的电路环境，重新提取寄...
【技术保护点】
1.一种对芯片电路设计进行性能评估的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一芯片电路设计文件，获取所述目标芯片电路的金属填充物数据，形成金属填充规则，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述金属填充规则模拟金属填充后的电路环境，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在性能评估过程中提取寄生参数时，基于所述金属填充规则模拟金属填充后的电路环境，以作为提取寄生参数的电路环境，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述
...【技术特征摘要】
1.一种对芯片电路设计进行性能评估的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一芯片电路设计文件，获取所述目标芯片电路的金属填充物数据，形成金属填充规则，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述金属填充规则模拟金属填充后的电路环境，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在性能评估过程中提取寄生参数时，基于所述金属填充规则模拟金属填充后的电路环境，以作为提取寄生参数的电路环境，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述目标芯片电路的各个迭代优化版...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：杭州行芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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