一种MOS辅助触发的低过冲DTSCR静电防护器件制造技术

本发明专利技术公开了一种MOS辅助触发的低过冲DTSCR静电防护器件，包括：P衬底和在P衬底上依次设置的第一P阱、第一N阱、第二P阱、第二N阱和第三N阱；第一P阱与第一N阱相邻，第一N阱与第二P阱相邻，第二P阱和第二N阱间隔第六隔离沟槽，第二N阱和第三N阱间隔第八隔离沟槽；第一P阱和第一N阱设有NPN型和PNP型BJT，第二P阱设有NMOS，第二N阱设有二极管D1，第三N阱设有二极管D2；PNP型和NPN型BJT以及二极管D1和D2构成DTSCR；NMOS对其电流泄放路径进行分流，并将电流注入NPN型BJT的基极以加速其发射结导通。本发明专利技术能够有效提高DTSCR的导通速度和降低DTSCR的过冲电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路，具体涉及一种mos辅助触发的低过冲dtscr((diode triggered scr，二极管触发硅控整流器)静电防护器件。

技术介绍

1、静电放电是自然界中的常见现象，对与集成电路的可靠性问题有着重要的影响。在ic制造、运输和使用过程中，esd(静电放电)使得芯片收到不可逆的损坏。随着集成电路的工艺节点不断微缩至纳米量级，器件尺寸越来越小，栅氧化层越来越薄，这对于集成电路的静电防护的要求越来越严格。传统的esd防护器件已经不能满足先进工艺下的设计窗口和设计要求。因此，新型esd防护器件变得尤为重要。

2、集成电路cmos工艺下的静电防护器件主要包括二极管、三极管、栅极接地的mos管以及可控硅(silicon controlled rectifier，scr)整流器。在这些器件中，scr整流器有着较高的面积效率以及良好的鲁棒性。scr整流器通过寄生的pnp和npn双极晶体管形成正反馈结构，在该结构导通后，阳极和阴极之间形成低阻抗路径，从而高效地泄放esd电流。但由于scr的导通需要通过雪崩击穿产生的载流子来开启pnp和n本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MOS辅助触发的低过冲DTSCR静电防护器件，其特征在于，包括：P衬底和在所述P衬底上沿第一方向依次设置的第一P阱、第一N阱、第二P阱、第二N阱和第三N阱；所述第一方向平行于所述P衬底所在的平面；

2.根据权利要求1所述的MOS辅助触发的低过冲DTSCR静电防护器件，其特征在于，所述PNP型BJT的发射极作为所述DTSCR静电防护器件的阳极输入端；所述PNP型BJT的基极、所述NMOS晶体管的漏极、所述NPN型BJT的集电极和所述二极管D1的阳极相连；所述PNP型BJT的集电极、所述NPN型BJT的基极和所述NMOS晶体管的源极相连；所述NPN型BJT的发射极和所述二...

【技术特征摘要】

1.一种mos辅助触发的低过冲dtscr静电防护器件，其特征在于，包括：p衬底和在所述p衬底上沿第一方向依次设置的第一p阱、第一n阱、第二p阱、第二n阱和第三n阱；所述第一方向平行于所述p衬底所在的平面；

2.根据权利要求1所述的mos辅助触发的低过冲dtscr静电防护器件，其特征在于，所述pnp型bjt的发射极作为所述dtscr静电防护器件的阳极输入端；所述pnp型bjt的基极、所述nmos晶体管的漏极、所述npn型bjt的集电极和所述二极管d1的阳极相连；所述pnp型bjt的集电极、所述npn型bjt的基极和所述nmos晶体管的源极相连；所述npn型bjt的发射极和所述二极管d2的阴极相连作为所述dts...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈树鹏，林隆华，刘红侠，王树龙，马博阳，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：