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本发明公开了一种MOS辅助触发的低过冲DTSCR静电防护器件，包括：P衬底和在P衬底上依次设置的第一P阱、第一N阱、第二P阱、第二N阱和第三N阱；第一P阱与第一N阱相邻，第一N阱与第二P阱相邻，第二P阱和第二N阱间隔第六隔离沟槽，第二N阱和...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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