一种离子源测试装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种离子源测试装置，包括：机架；真空室，设置在所述机架上，其侧壁设有若干能与离子源可拆卸连接并能让离子源的粒子束流进入真空室内的离子源接口；旋转平台，设置在所述真空室内，用于承载待测试晶圆；驱动组件，与所述旋转平台连接，用于驱动旋转平台旋转；加热组件，设置在所述真空室内；抽真空系统，与所述真空室连接，用于对真空室进行抽真空；充气系统，与所述真空室连接，用于向真空室内充入一种或多种工业气体。本发明专利技术具有结构简单、成本低、满足对离子源测试需求的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体cvd工艺用离子源(rps)测试装置，尤其涉及一种离子源测试装置。

技术介绍

1、近年来，半导体装备及其关键部件的研发和生产得到了前所未有的重视和支持。作为半导体制造过程中化学气相沉积(cvd)工艺的核心组件之一，离子源(remote plasmasource，rps)的重要性日益凸显。目前，国内众多企业、科研院所以及高等院校都在积极投入资源，致力于攻克rps相关技术难题，以提升我国在该领域的自主研发能力。

2、在rps的研发过程中，对其性能进行全面、精确的测试是确保其质量和可靠性的关键环节。然而，当前国内市场上尚未出现专门用于rps测试的成熟装置，这在一定程度上制约了国内rps技术的发展速度。

3、此外，rps测试装置的缺乏还可能导致以下问题：

4、1)研发效率低下：缺乏专业测试设备，研发人员可能需要采用其他替代方法进行测试，这不仅耗时较长，而且可能影响测试结果的准确性。

5、2)产品质量难以保证：没有标准化的测试流程和设备，很难对rps的性能进行全面、客观的评估，这可能导致产品质量参差本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种离子源测试装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种离子源测试装置，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的离子源测试装置，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求3所述的一种离子源测试装置，其特征在于：所述冷却系统(7)还与离子源和真空磁流体动密封件(32)连接，并能为二者提供冷却。

5.根据权利要求1所述的一种离子源测试装置，其特征在于：所述真空室(2)上端设有开口(23)，所述开口(23)处设有用于开合该开口(23)的顶盖(24)，所述顶盖(24)连接有用于驱动顶盖(24)升降的升降组件(241)。

6.根...

【技术特征摘要】

1.一种离子源测试装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种离子源测试装置，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的离子源测试装置，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求3所述的一种离子源测试装置，其特征在于：所述冷却系统(7)还与离子源和真空磁流体动密封件(32)连接，并能为二者提供冷却。

5.根据权利要求1所述的一种离子源测试装置，其特征在于：所述真空室(2)上端设有开口(23)，所述开口(23)处设有用于开合该开口(23)的顶盖(24)，所述顶盖(24)连接有用于驱动顶盖(24)升降的升降组件(241)。

6.根据权利要求5所述的一种离子源测试装置，其特征在于：所述顶盖(24)上也设有离子源接口(2...

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟，刘家骐，彭中业，
申请(专利权)人：中山凯旋真空科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：