【技术实现步骤摘要】
本公开涉及集成电路制造，尤其涉及一种大面积掩模板的三维潜像计算方法、装置、存储介质和电子设备。
技术介绍
1、光刻对集成电路的制造来说必不可少，尤其是针对大面积的集成电路或显示面板，它将掩模图案转换成衬底顶层的光刻胶图案，随着面板产业几何特征的持续缩小，光刻胶图案的畸变越来越不可忽视。通过实验验证光刻胶的成像质量需要很高的成本，而光刻仿真可以预测并评估光刻成像性能，节省实验验证的所需的成本和时间消耗。
2、光刻仿真分两步，光学仿真和光刻胶仿真。光学仿真模拟光线从光源发出经过掩模版和投影系统，在光刻胶表面形成空间像，空间像被传递到光刻胶中引起光致反应形成潜像(latent image)的过程。光刻胶仿真以光学仿真得到的潜像为输入，得到最终的光刻胶轮廓剖面。在光刻仿真流程中，潜像充当着光学仿真和光刻胶仿真间的桥梁。在显示面板制造中，需要对大面积掩模图案进行潜像仿真。严格电磁场仿真(rigorouselectromagnetic field，emf)如耦合波和时域有限元差分可以对潜像进行精确仿真，但其计算复杂度高，运行时间长，仿真...
【技术保护点】
1.一种大面积掩模板的三维潜像计算方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的三维潜像计算方法，其特征在于，所述构建样本掩膜板图案的样本局部特征图案和所述样本局部特征图案对应的三维潜像的训练集包括：
3.根据权利要求2所述的三维潜像计算方法，其特征在于，所述构建所述样本局部特征图案和所述三维潜像的训练集包括：
4.根据权利要求2所述的三维潜像计算方法，其特征在于，所述根据所述训练集对生成对抗网络进行训练包括：
5.根据权利要求1所述的三维潜像计算方法，其特征在于，所述基于第二分割方式将待处理的掩膜板图案进行图像分割...
【技术特征摘要】
1.一种大面积掩模板的三维潜像计算方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的三维潜像计算方法，其特征在于，所述构建样本掩膜板图案的样本局部特征图案和所述样本局部特征图案对应的三维潜像的训练集包括：
3.根据权利要求2所述的三维潜像计算方法，其特征在于，所述构建所述样本局部特征图案和所述三维潜像的训练集包括：
4.根据权利要求2所述的三维潜像计算方法，其特征在于，所述根据所述训练集对生成对抗网络进行训练包括：
5.根据权利要求1所述的三维潜像计算方法，其特征在于，所述基于第二分割方式将待处理的掩膜板图案进行图像分割，得到扩张区域分割图案包括：
6.根据权利要求5所述的三维潜像计算方法，其特征在于，所述根据所述扩张区域分割图案对所述待...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵艺涵，董立松，韦亚一，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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