制造配线基板的方法、评价抗蚀剂层或配线基板的方法及配线基板技术

一种制造配线基板的方法，所述方法包括如下工序：在设置于基板的主面上且包含金属的种子层上设置抗蚀剂层；通过抗蚀剂层的曝光及显影，在抗蚀剂层上形成包括供种子层露出的开口的图案；及通过电解镀敷在开口内露出的种子层上形成包括具有小于10μm的宽度的部分的镀铜层。以使在包括种子层及镀铜层的金属部的截面中观测到的黑色部在镀铜层的宽度方向上的占有率即BP占有率成为45％以下的方式形成镀铜层。选择抗蚀剂层。BP占有率为通过如下方法确定的值，所述方法包括根据下述式计算所述BP占有率的工序。[数式1]

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种制造配线基板的方法、评价抗蚀剂层或配线基板的方法及配线基板。

技术介绍

1、为了应对电子设备的小型化、轻型化、高速化的要求，构成电子设备的配线基板需要具备具有微小宽度的配线。作为形成具有微小宽度的配线的方法，半加成(sap)法及改良型半加成(msap)法被广泛利用(专利文献1)。这些方法通常包括通过电解镀敷在种子层上形成镀铜层的工序。种子层通常在sap中通过无电解镀敷来形成，在msap中通过铜箔的层叠来形成。

2、以往技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2004-6773号公报

5、专利文献2：国际公开第2022/054873号

技术实现思路

1、专利技术要解决的技术课题

2、在通过包括具有小于10μm的宽度的部分的镀铜层在种子层上形成微细的配线的情况下，有时种子层与镀铜层之间的密合性不足。例如，在通过蚀刻液去除种子层的不需要的部分时，镀铜层(配线)有可能容易倒塌。本专利技术的一方面涉及一种技术，其在通过如下方法制造配线本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制造配线基板的方法，所述方法包括如下工序：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，

4.根据权利要求3所述的方法，其中，

5.根据权利要求4所述的方法，其中，

6.根据权利要求3所述的方法，其中，

7.一种评价抗蚀剂层的方法，所述方法包括如下工序：

8.一种评价配线基板的方法，所述配线基板具备基板和设置于所述基板上的配线，其中，

9.一种配线基板，其具备：

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种制造配线基板的方法，所述方法包括如下工序：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，

4.根据权利要求3所述的方法，其中，

5.根据权利要求4所述的方法，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：东之崎庆，岩下健一，小野敬司，成田真生，满仓一行，鸟羽正也，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：