半导体加工用保护片和半导体装置的制造方法制造方法及图纸

一种半导体加工用保护片，具有基材、和依次设置在基材的一主面上的中间层与粘合剂层，中间层为含有不具有烯属不饱和基的(甲基)丙烯酸系树脂(A1)、和交联剂(B1)的树脂组合物的固化物，粘合剂层为含有具有烯属不饱和基的(甲基)丙烯酸系树脂(A2)、交联剂(B2)和光聚合引发剂(C)的粘合剂组合物的固化物，不具有烯属不饱和基的(甲基)丙烯酸系树脂(A1)具有多个与交联剂(B1)所具有的官能基进行反应的官能基，具有烯属不饱和基的(甲基)丙烯酸系树脂(A2)具有多个与交联剂(B2)所具有的官能基进行反应的官能基，具有烯属不饱和基的(甲基)丙烯酸系树脂(A2)为对含有(甲基)丙烯酸烷基酯(a2‑1)和具有羧基的烯属不饱和化合物(a2‑2)的单体群(M2)的共聚物加成具有环氧基的烯属不饱和化合物(a2‑3)的加成物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及半导体加工用保护片和半导体装置的制造方法。

技术介绍

1、半导体的制造工序中，使用各种保护片。具体而言有在半导体晶圆的里面研削(背部研磨)步骤中用于保护晶圆的保护片(背部研磨胶带)、以及从半导体晶圆切断分割(切割)成组件小片的步骤中所使用的固定用片(切割胶带)等。这些保护片是被贴合于作为被粘附体的半导体晶圆，结束所定加工步骤后从被粘附体进行剥离的再剥离型保护片。

2、近年来，随着电子机器的小型化及高密度化，作为能够使半导体组件以最小面积安装的方法，倒装芯片安装正成为主流。在倒装芯片安装中，为了实现芯片间的接合，使用具有拥有由焊接所成的顶端部的突起电极(凸块)的半导体芯片(例如through siliconvia(tsv)芯片)。该附有凸块的半导体芯片，与其他半导体芯片或基板，通过加热到焊接的熔融温度以上的温度(通常为200℃以上)的回流焊步骤而经电接合而安装。然而，在通讯用的电子机器上安装半导体芯片的情况，有时会有从芯片内部所产生的电磁波造成通信障碍产生的情况。要防止这种情况，也有时对半导体芯片外周部进行蒸镀(通常为150℃以上)本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体加工用保护片，具有基材、和依次设置在所述基材的一主面上的中间层与粘合剂层，

2.如权利要求1所述的半导体加工用保护片，所述中间层的厚度为30～600μm，所述粘合剂层的厚度为5～100μm，所述中间层与所述粘合剂层的厚度之比、即中间层/粘合剂层为1～50。

3.如权利要求1或2所述的半导体加工用保护片，所述不具有烯属不饱和基的(甲基)丙烯酸系树脂(A1)的玻璃化转变温度(Tg)为-80～0℃。

4.如权利要求1或2所述的半导体加工用保护片，所述不具有烯属不饱和基的(甲基)丙烯酸系树脂(A1)为含有(甲基)丙烯酸烷基酯(a1-1)和具有羟基...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体加工用保护片，具有基材、和依次设置在所述基材的一主面上的中间层与粘合剂层，

2.如权利要求1所述的半导体加工用保护片，所述中间层的厚度为30～600μm，所述粘合剂层的厚度为5～100μm，所述中间层与所述粘合剂层的厚度之比、即中间层/粘合剂层为1～50。

3.如权利要求1或2所述的半导体加工用保护片，所述不具有烯属不饱和基的(甲基)丙烯酸系树脂(a1)的玻璃化转变温度(tg)为-80～0℃。

4.如权利要求1或2所述的半导体加工用保护片，所述不具有烯属不饱和基的(甲基)丙烯酸系树脂(a1)为含有(甲基)丙烯酸烷基酯(a1-1)和具有羟基的(甲基)丙烯酸酯(a1-2)的单体群(m1)的共聚物，

5.如权利要求4所述的半导体加工用保护片，所述单体群(m1)还包含具有羧基的烯属不饱和化合物(a1-3)。

6.如权利要求4所述的半导体加工用保护...

【专利技术属性】
技术研发人员：直田耕治，汤本敬太，佐佐木一博，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：