【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及理论光谱库建库的方法、关键尺寸的测量方法及其电子设备、介质、程序产品。
技术介绍
1、随着半导体制造工业的发展，半导体器件的尺寸不断缩小，器件结构设计愈加复杂，对半导体制造工艺提出更为严苛的控制要求，进而需要在半导体制造的许多工艺步骤后执行晶片量测或检测以获得较高的良率。补充测量通道和建模技术从而允许测量能力进一步改善对该发展的后续处理是必不可少的。通常，应用光学关键尺寸测量(opticalcritical dimension，ocd)以获取有关这些结构的几何形状和材料特性的高度准确且精确的信息。
2、ocd测量技术的基本工作原理为：通过建立与样品的形貌模型相对应的理论光谱库，并从此库中寻找特定的理论光谱实现与ocd测量设备获得的测量光谱的最佳匹配，从而确定其形貌参数。测量光谱为ocd测量设备获取的周期性分布的半导体器件的反射光信号。虽然通过测量光谱不能直接反推出测量样品的介质分布特性，但是可以基于样品的介质分布建立模型并参数化，然后使用数值计算的方法计算出该模型对应于不同参数值的理论光谱库，即对ocd测量设备...
【技术保护点】
1.一种理论光谱库建库的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的理论光谱库建库的方法，其特征在于，所述半导体器件包括同一批次产品在不同工艺阶段和工艺参数下的所有半导体结构。
3.根据权利要求2所述的理论光谱库建库的方法，其特征在于，当某一工艺阶段或者工艺参数发生变化，在原几何模型中引入新的主模块时，将所述新的主模块及其对应的结构参数集合和散射矩阵/传输矩阵保存至主模块矩阵库。
4.根据权利要求1所述的理论光谱库建库的方法，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的理论光谱库建库的方法，其特征在于，所述计算半...
【技术特征摘要】
1.一种理论光谱库建库的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的理论光谱库建库的方法，其特征在于，所述半导体器件包括同一批次产品在不同工艺阶段和工艺参数下的所有半导体结构。
3.根据权利要求2所述的理论光谱库建库的方法，其特征在于，当某一工艺阶段或者工艺参数发生变化，在原几何模型中引入新的主模块时，将所述新的主模块及其对应的结构参数集合和散射矩阵/传输矩阵保存至主模块矩阵库。
4.根据权利要求1所述的理论光谱库建库的方法，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的理论光谱库建库的方法，其特征在于，所述计算半导体器件的结构模型所对应的理论光谱的步骤还包括：
6.根据权利要求1所述的理论光谱库建库的方法，其特征在于，当相邻主模块之间存在共用结构参数时，所述共用结构参数与所述相邻主模块分别计算每个主模块的散射矩阵，并一一对应保存。
7.根据权利要求1所述的理论光谱库建库的方法，其特征在于，根据所述半导体器件中的材料或/和形状的一致性将半导体结构划分为多个主模块。
8.根据权利要求1所述的理论光谱库建库的方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈慧萍，党江涛，胡晔琳，黄鲲，
申请(专利权)人：匠岭科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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