一种抛光垫及其设计方法技术

本发明专利技术提供一种抛光垫及其设计方法，先将晶圆沿其径向分为多个区域，在一定的化学机械抛光工艺参数下，找到晶圆各个区域在抛光垫上的运动区域，根据该运动区域对抛光垫进行不同硬度区的划分，最后通过硬度与材料去除率的关系对抛光垫进行硬度设计。本发明专利技术通过对抛光垫进行分区硬度设计，能够在不改变抛光工艺参数的条件下，对晶圆表面各处的材料去除率进行调整，以获得厚度均匀的晶圆，解决了现有技术中无法准确调节晶圆各区域材料去除率的问题，扩大了工艺调整区间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于化学机械抛光，具体的，涉及一种抛光垫及其设计方法。

技术介绍

1、在超大规模集成电路制造中，化学机械抛光技术(chemical mechanicalpolishing，cmp)已成为最广泛使用的平坦化技术。目前，集成电路制造中所使用的抛光垫主要是高分子材料抛光垫，其主要成分是发泡体固化的聚氨酯以及无纺布材料，表面具有一定密度的微凸峰并且整体硬度均一。在对晶圆进行化学机械抛光之前，会采用减薄、化学蚀刻等各种技术，逐步去除晶圆表面的损坏层，在此过程中，每一步的加工误差会不断累积，导致晶圆各处的厚度不均匀。因此，在对晶圆进行化学机械抛光时，需要对晶圆表面各处的材料去除率(material removal rate，mrr)进行调整，以获得厚度均匀的晶圆。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术提供一种抛光垫及其设计方法，先将晶圆沿其径向分为多个区域，在一定的化学机械抛光工艺参数下，找到晶圆各个区域在抛光垫上的运动区域，根据该运动区域对抛光垫进行不同硬度区的划分，最后通过硬度与材料去除本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抛光垫的设计方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的抛光垫的设计方法，其特征在于，步骤S1中，所述晶圆圆心处的材料去除率为V0，所述晶圆表面其他点处的材料去除率为V，V＝c×V0，其中，c为大于1的常数。

3.根据权利要求2所述的抛光垫的设计方法，其特征在于，步骤S2中，找到所述变化曲线中材料去除率的最大值Vm，所述变化曲线中材料去除率i(Vm-V0)/N+V0所对应的晶圆径向距离即为第i个所述边界与所述晶圆圆心之间的距离Ri，i＝1、2……N-1。

4.根据权利要求1所述的抛光垫的设计方法，其特征在于，步骤S4中，所述第一硬...

【技术特征摘要】

1.一种抛光垫的设计方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的抛光垫的设计方法，其特征在于，步骤s1中，所述晶圆圆心处的材料去除率为v0，所述晶圆表面其他点处的材料去除率为v，v＝c×v0，其中，c为大于1的常数。

3.根据权利要求2所述的抛光垫的设计方法，其特征在于，步骤s2中，找到所述变化曲线中材料去除率的最大值vm，所述变化曲线中材料去除率i(vm-v0)/n+v0所对应的晶圆径向距离即为第i个所述边界与所述晶圆圆心之间的距离ri，i＝1、2……n-1。

4.根据权利要求1所述的抛光垫的设计方法，其特征在于，步骤s4中，所述第一硬度区、所述第二硬度区……所述第n硬度区为同心分布的圆环形区域。

5.根据权利要求4所述的抛光垫的设计方法，其特征在于，步骤s4中...

【专利技术属性】
技术研发人员：关子钧，刘奕然，杜天波，
申请(专利权)人：上海集成电路材料研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：