一种氮化铝滤波器和氮化镓功放集成器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种氮化铝滤波器和氮化镓功放集成器件及其制备方法，器件包括衬底，外延层和换能器；衬底上设置氮化镓沟道层，沟道层由相互隔离的第一沟道层和第二沟道层组成；第一沟道层上依次堆叠掩埋氧化层和氮化铝压电层组成第一外延层，第一外延层与衬底构成氮化铝滤波器；第二沟道层上堆叠势垒层组成第二外延层，第二外延层与衬底构成氮化镓功放；换能器设置于第一外延层；第二外延层上设置源电极、漏电极和栅电极。本发明专利技术将氮化铝滤波器和氮化镓功放键合在一个芯片上简化工艺，以减小制作成本，同时还可以减小芯片面积与能量损耗，并且掩埋氧化层可以作为温度补偿层，抑制压电材料的扩张或者收缩。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件，涉及表面声波滤波器，特别涉及一种氮化铝滤波器和氮化镓功放集成器件及其制备方法。

技术介绍

1、随着进入高速通信时代，射频器件应用越来越广泛，氮化镓高电子迁移率晶体管凭借高功率，高效率，低成本的优势在5g移动通信系统中得到广泛使用。表面声波滤波器也由于其选择性好、频带宽、性能稳定、可靠性高成为应用广泛的射频滤波器，逐渐也被广泛应用于移动通信系统。射频前端滤波器所需的工作频段越来越高，并需具有以前的滤波器的带宽要求以及品质因子(q值)表现。压电绝缘基材料作为衬底可更好改善滤波器的品质因数、耦合系数及频率温度系数等性能。

2、然而，随着技术进步，新型射频前端和无线通信系统需要更好的性能和更小的体积。但目前应用过程中，氮化镓高电子迁移率晶体管和表面声波滤波器通常是分开制作，并作为独立器件封装集成在一起。这样使器件制作成本高，芯片面积大、系统损耗大。

技术实现思路

1、为了克服上述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种氮化铝滤波器和氮化镓功放集成器件及其制备方法，以减小制作成本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氮化铝滤波器和氮化镓功放集成器件，其特征在于，包括衬底，外延层和换能器；所述外延层由第一外延层和第二外延层组成，所述换能器由输入换能器和输出换能器组成；

2.根据权利要求1所述氮化铝滤波器和氮化镓功放集成器件，其特征在于，所述第一沟道层和第二沟道层通过隔离结构隔离，所述隔离结构为凹槽或Si3N4填充。

3.根据权利要求1所述氮化铝滤波器和氮化镓功放集成器件，其特征在于，所述输入换能器和输出换能器均为叉指换能器，沿第一外延层向第二外延层的方向设置于所述压电层。

4.根据权利要求3所述氮化铝滤波器和氮化镓功放集成器件，其特征在于，所述源电极和漏电极...

【技术特征摘要】

1.一种氮化铝滤波器和氮化镓功放集成器件，其特征在于，包括衬底，外延层和换能器；所述外延层由第一外延层和第二外延层组成，所述换能器由输入换能器和输出换能器组成；

2.根据权利要求1所述氮化铝滤波器和氮化镓功放集成器件，其特征在于，所述第一沟道层和第二沟道层通过隔离结构隔离，所述隔离结构为凹槽或si3n4填充。

3.根据权利要求1所述氮化铝滤波器和氮化镓功放集成器件，其特征在于，所述输入换能器和输出换能器均为叉指换能器，沿第一外延层向第二外延层的方向设置于所述压电层。

4.根据权利要求3所述氮化铝滤波器和氮化镓功放集成器件，其特征在于，所述源电极和漏电极设置在所述第二沟道层上，分别位于势垒层两侧，所述栅电极设置在所述势垒层上。

5.根据权利要求1所述氮化铝滤波器和氮化镓功放集成器件，其特征在于，所述势垒层的材料为铝镓氮。

6.根据权利要求1或5所述氮化铝滤波器和氮化镓功放集成器件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王亮云，邢伟川，周瑾，杜航海，刘志宏，张进成，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：