一种抑制腐蚀的半导体芯片清洗剂及其制备方法与应用技术

本发明专利技术涉及一种抑制腐蚀的半导体芯片清洗剂及其制备方法与应用。所述的清洗剂，按照重量份计算包括如下组分：腐蚀抑制组合物5‑20份；有机胺20‑50份；络合剂1‑10份；极性有机溶剂20‑50份；去离子水15‑40份；腐蚀抑制组合物为壳多糖类物质和黄酮类物质的混合物。本发明专利技术采用黄酮类物质其分子的结构使得分子能与金属表面紧密结合，为金属提供保护，防止金属腐蚀；壳多糖类物质结构中的未共用电子对与金属中的空键轨道容易配位成键，形成钝化膜保护金属，两种物质会在金属表面上发生竞争吸附，达到协同作用增强缓蚀的效果。本发明专利技术清洗剂环保、稳定性好，对侧壁聚合物杂质的清洗效果优异，不会对基底产生腐蚀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造工艺领域，尤其涉及一种抑制腐蚀的半导体芯片清洗剂及其制备方法与应用。

技术介绍

1、目前，由于芯片尺寸的不断减小，制作流程对于芯片表面杂质的要求更加严格，并且芯片生产中每一道工序都可能对制造出的芯片造成污染，百万分之一甚至十亿分之一的微量杂质都可能会对半导体芯片的性质产生影响，从而破坏半导体器件的正常性能。因此，为了避免随机原因进入器件的有害杂质造成芯片的失效，就需要对芯片进行彻底的清洗。

2、在芯片清洗领域，清洗剂存在着清洗时间长、操作温度高、残留物去除能力差、使用寿命短等缺点，无法应用于多个制程后蚀刻残留物的去除。因此，对新型的芯片清洗剂仍存在着迫切的需求，需要提高对残留物的去除能力，清洗工艺操作简单，对芯片的腐蚀风险低。

技术实现思路

1、本专利技术解决的技术问题：对残留物的去除能力差，清洗工艺操作复杂，对芯片的腐蚀风险高。

2、鉴于现有技术中存在的技术问题，本专利技术设计了一种抑制腐蚀的半导体芯片清洗剂及其制备方法与应用。这种清洗剂的清洗工艺操作简单，对本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抑制腐蚀的半导体芯片清洗剂，其特征在于，按照重量份计算，包括如下组分：

2.根据权利要求1所述的抑制腐蚀的半导体芯片清洗剂，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的抑制腐蚀的半导体芯片清洗剂，其特征在于：所述的壳多糖类物质与黄酮类物质的质量比为1-5：1。

4.根据权利要求1所述的抑制腐蚀的半导体芯片清洗剂，其特征在于：

5.根据权利要求1所述的抑制腐蚀的半导体芯片清洗剂，其特征在于：

6.根据权利要求1所述的抑制腐蚀的半导体芯片清洗剂，其特征在于：

7.根据权利要求2所述的抑制腐蚀的半导体芯片清洗剂，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种抑制腐蚀的半导体芯片清洗剂，其特征在于，按照重量份计算，包括如下组分：

2.根据权利要求1所述的抑制腐蚀的半导体芯片清洗剂，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的抑制腐蚀的半导体芯片清洗剂，其特征在于：所述的壳多糖类物质与黄酮类物质的质量比为1-5：1。

4.根据权利要求1所述的抑制腐蚀的半导体芯片清洗剂，其特征在于：

5.根据权利要求1所述的抑制腐蚀的半导体芯片清洗剂，其特征在于：

6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯军，吕晶，褚雨露，张小曼，
申请(专利权)人：浙江奥首材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：