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本发明涉及一种抑制腐蚀的半导体芯片清洗剂及其制备方法与应用。所述的清洗剂，按照重量份计算包括如下组分：腐蚀抑制组合物5‑20份；有机胺20‑50份；络合剂1‑10份；极性有机溶剂20‑50份；去离子水15‑40份；腐蚀抑制组合物为壳多糖类物...
该专利属于浙江奥首材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江奥首材料科技有限公司授权不得商用。

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