【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及led芯片加工,具体涉及led芯片的加工设备。
技术介绍
1、相关技术中的led芯片采用锡膏焊接或共晶焊接。
2、锡膏焊接存在以下缺陷:1、电极需要通过锡膏与金属基板进行连接,然而,锡膏的导热性能相对较差,导致热阻较高,这可能导致led芯片在工作时产生较高的温度,影响其性能和寿命;2、锡膏焊接技术存在手工操作的步骤,可能导致焊接质量的不稳定性,例如焊接过程中的人为因素或不恰当的工艺参数设置,可能导致出现焊接不良、漏焊、短路等问题。
3、共晶焊接存在以下缺陷:1、共晶焊接采用的共晶炉,焊接时需要真空状态下惰性气体保护,共晶炉设备造价高昂;2、共晶炉炉膛内空间有限,可焊接工作区域范围较小,工作效率较低,不利于工业化连续批量在线生产。
技术实现思路
1、有鉴于此,本专利技术提供了一种led芯片的加工设备,以解决热阻高、焊接质量不稳定、成本高以及工作效率低的问题。
2、本专利技术提供了一种led芯片的加工设备,适用于连接led芯片和基板,包括:加热
...【技术保护点】
1.一种LED芯片的加工设备(1),适用于连接LED芯片(2)和基板(3),其特征在于,所述LED芯片的加工设备(1)包括:
2.根据权利要求1所述的LED芯片的加工设备(1),其特征在于,
3.根据权利要求2所述的LED芯片的加工设备(1),其特征在于,所述加热装置(110)还包括:
4.根据权利要求3所述的LED芯片的加工设备(1),其特征在于,所述恒温区(112)的长度大于所述预热区(111)的长度以及所述工作区(113)的长度;和/或
5.根据权利要求1-3中任一项所述的LED芯片的加工设备(1),其特征在于,所
...【技术特征摘要】
1.一种led芯片的加工设备(1),适用于连接led芯片(2)和基板(3),其特征在于,所述led芯片的加工设备(1)包括:
2.根据权利要求1所述的led芯片的加工设备(1),其特征在于,
3.根据权利要求2所述的led芯片的加工设备(1),其特征在于,所述加热装置(110)还包括:
4.根据权利要求3所述的led芯片的加工设备(1),其特征在于,所述恒温区(112)的长度大于所述预热区(111)的长度以及所述工作区(113)的长度;和/或
5.根据权利要求1-3中任一项所述的led芯片的加工设备(1),其特征在于,所述压力装置(200)包括:
6.根据权利要求5所述的led芯片的加工设备(1),其特征在于,所述功能部(220)相对于所述主体部(210)可转动,所述功能部(220)具有冷却面(222),所...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡滎,李萌萌,胡再励,黄增富,黎敏玲,
申请(专利权)人:深圳市华皓伟业光电有限公司,
类型:发明
国别省市:
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