一种微米级PZT基多层压电陶瓷致动器及其测试系统技术方案

本发明专利技术专利公开一种微米级PZT基多层压电陶瓷致动器及其测试系统，包括输入端、夹持端和测试端，输入端包括用于电信号输入的驱动部件，测试端包括激光测试仪和接触式测力计；所述夹持端包括固定夹持座，所述固定夹持座中部向前伸出设有导引部，所述导引部上安装有滑块，所述滑块上端面滑动接触安装有多个轴承，所述固定夹持座上部向前伸出设有安装轴承的回转部，所述固定夹持座下部向前伸出设有约束座，所述微米级PZT基多层压电陶瓷致动器的下悬臂定位安装在约束座上；安装完毕后，调整滑块给PZT基剪切型多层压电陶瓷施加预紧力；本发明专利技术主要针对微米级PZT基多层压电陶瓷致动器对滑块微米级的位移进行测量，并验证理论模型和仿真结果的准确性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及多层压电陶瓷致动器，具体涉及一种微米级pzt基多层压电陶瓷致动器及其测试系统。

技术介绍

1、pzt是一种具有优异性能的铁电材料，在介电、铁电、压电以及热释电等方面表现出良好的效应，广泛应用于非挥发性动态随机存储器的制造，并在电子材料领域中的地位日益突出。随着社会经济发展水平的提高，微机电系统(mems)获得了更多的发展空间，pzt铁电薄膜凭借其较高的压电常数等优势，在微型传感器和驱动器中得到广泛应用，成为微机电系统中重要的传感和驱动材料。

2、压电陶瓷致动器是一种基于逆压电效应的新型固态执行器件，广泛应用于精密光学、微型机械、微电子技术和计算机应用等高新
这些领域对压电致动器的要求趋向于低驱动电压、小体积、大位移量和大输出推力。近年来，随着压电陶瓷制备工艺的日益成熟，流延法、切片法和累积法等多层压电陶瓷制备方法逐渐适应了大规模生产高性能的pzt基多层压电陶瓷，促使了小体积、低电压、大位移和大推力的压电陶瓷致动器的诞生。

3、微米级pzt基多层压电陶瓷致动器作为一种精密控制装置，具有响应速度快、功率密度高、位移本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种微米级PZT基多层压电陶瓷致动器，其特征在于，包括多层压电陶瓷和传力基体，所述传力基体包括L形对称设置的左悬臂和右悬臂，所述左悬臂和右悬臂相背端面交汇处形成接触部，所述左悬臂和右悬臂相背端面靠近接触部区域向内对称开设有弧形槽；所述左悬臂和右悬臂相对端面交汇处向内开设有凹槽，所述左悬臂和右悬臂相对端面远离交汇处均安装有多层压电陶瓷，所述多层压电陶瓷分别安装在左悬臂的自由端部和右悬臂的自由端部，所述左悬臂的多层压电陶瓷和右悬臂的多层压电陶瓷相对设置且互不干涉。

2.根据权利要求1所述的一种微米级PZT基多层压电陶瓷致动器，其特征在于，所述左悬臂和右悬臂相对端面形成的夹角为...

【技术特征摘要】

1.一种微米级pzt基多层压电陶瓷致动器，其特征在于，包括多层压电陶瓷和传力基体，所述传力基体包括l形对称设置的左悬臂和右悬臂，所述左悬臂和右悬臂相背端面交汇处形成接触部，所述左悬臂和右悬臂相背端面靠近接触部区域向内对称开设有弧形槽；所述左悬臂和右悬臂相对端面交汇处向内开设有凹槽，所述左悬臂和右悬臂相对端面远离交汇处均安装有多层压电陶瓷，所述多层压电陶瓷分别安装在左悬臂的自由端部和右悬臂的自由端部，所述左悬臂的多层压电陶瓷和右悬臂的多层压电陶瓷相对设置且互不干涉。

2.根据权利要求1所述的一种微米级pzt基多层压电陶瓷致动器，其特征在于，所述左悬臂和右悬臂相对端面形成的夹角为80度至95度。

3.根据权利要求2所述的一种微米级pzt基多层压电陶瓷致动器，其特征在于，所述接触部截面形状为半圆形，且左悬臂的弧形槽、右悬臂的弧形槽均与接触部的半圆外切。

4.根据权利要求3所述的一种微米级pzt基多层压电陶瓷致动器，其特征在于，所述多层压电陶瓷与左悬臂的安装面、右悬臂的安装面均保持垂直。

5.根据权利要求4所述的一种微米级pzt基多层压电陶瓷致动器，其特征在于，所述传力基体的左悬臂和右悬臂长度为15mm，且左悬臂截面的自由端部和右悬臂的自由端部截面尺寸均为5mm×5mm，所述接触部的半径为1.5mm至2.5mm，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦国帅，王振宇，王蕾，马骥，王择栋，李占军，戴兵，
申请(专利权)人：河南感联智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：