【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，并且更具体地，涉及一种半导体存储器件及其制造方法。
技术介绍
1、随着半导体存储器件的集成度提高，电路变得更加精细，从而减少了设计规则。因此，半导体存储器件的制造工艺变得更加复杂和困难。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供了一种半导体存储器件，包括：衬底，具有单元阵列区域和位于单元阵列区域附近的核心区域；掩埋接触部，位于单元阵列区域中并且连接到存储元件；直接接触部，位于单元阵列区域中并且包括上层和下层；位线，与直接接触部的上层接触；以及字线，与位线交叉，其中，直接接触部的下层位于衬底的直接接触孔中，直接接触孔暴露衬底的有源区，下层通过直接接触孔的底表面与衬底的有源区接触，上层包括金属，并且下层包括该金属的硅化物。
2、本公开的实施例提供了一种半导体存储器件的制造方法，该制造方法包括：通过在衬底的单元阵列区域上堆叠单元绝缘膜并且蚀刻单元绝缘膜来形成直接接触孔，直接接触孔暴露衬底的有源区；在暴露的有源区上以及在直接接触孔中形成下层，下层包括半...
【技术保护点】
1.一种半导体存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述上层包括W、Rh、Cu、Co、Mo和TiN中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述上层包括TiN。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括所述衬底上的单元绝缘膜，所述单元绝缘膜不与所述掩埋接触部和所述直接接触部重叠。
5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述单元绝缘膜具有三层结构。
6.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中：
7.一种半导体存储器件的制造方法，所述方法包
8...
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述上层包括w、rh、cu、co、mo和tin中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述上层包括tin。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括所述衬底上的单元绝缘膜，所述单元绝缘膜不与所述掩埋接触部和所述直接接触部重叠。
5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述单元绝缘膜具有三层结构。
6.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中：
7.一种半导体存储器件的制造方法，所述方法包括：
8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，通过干法蚀刻方法来蚀刻所述上层和所述下层。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其中，通过基于cl2/n2的o2等离子体来蚀刻所述上层和所述下层。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其中，蚀刻所述上层和所述下层包括根据蚀刻的深度来改变蚀刻气体。
11.根据权利要求10所述的制造方法，其中，蚀刻所述上层和所述下层包括：在初始蚀刻阶段使用cl2/n2气体，在...
【专利技术属性】
技术研发人员：宣潒珪，崔高鹭，金孝燮，安濬爀，车银京，崔东珉，崔相炫，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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