【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及存储器装置以及存储器装置的制造方法，并且更具体地，涉及包括具有三维结构的存储块的存储器装置以及存储器装置的制造方法。
技术介绍
1、存储器装置可以包括非易失性存储器装置，在非易失性存储器装置中，即使在电力供应被中断时，存储的数据也原样保持。根据其中布置有存储器单元的结构，可以将非易失性存储器装置划分为二维结构和三维结构。具有二维结构的非易失性存储器装置的存储器单元可以以单层布置在基板上方，并且具有三维结构的非易失性存储器装置的存储器单元可以在竖直方向上层叠在基板上方。因为具有三维结构的非易失性存储器装置的集成度高于具有二维结构的非易失性存储器装置的集成度，所以近来已经越来越多地使用采用具有三维结构的非易失性存储器装置的电子装置。
技术实现思路
1、根据本公开的实施方式，可以提供一种存储器装置，所述存储器装置包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个单元插塞；第一狭缝，所述第一狭缝将所述存储器单元阵列隔离成多个存储器区域，所述第一狭缝在第一方向上延伸；以及第二狭缝，所述...
【技术保护点】
1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第二狭缝中的每个第二狭缝以基本上四边形柱状或基本上圆形柱状形成。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第二狭缝中的每个第二狭缝的平面包括在所述第一方向上的短轴和在所述第二方向上的长轴。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括在所述第一狭缝与所述第二狭缝之间的第二连接区域。
5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述多个存储器区域中的每个存储器区域中所包括的所述栅极线当中的位于同一层中的所述栅极线中的每条...
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第二狭缝中的每个第二狭缝以基本上四边形柱状或基本上圆形柱状形成。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第二狭缝中的每个第二狭缝的平面包括在所述第一方向上的短轴和在所述第二方向上的长轴。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括在所述第一狭缝与所述第二狭缝之间的第二连接区域。
5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述多个存储器区域中的每个存储器区域中所包括的所述栅极线当中的位于同一层中的所述栅极线中的每条栅极线延伸穿过所述第一连接区域和所述第二连接区域。
6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述多个存储器区域中的每个存储器区域中所包括的所述栅极线包括：
7.根据权利要求6所述的存储器装置，所述存储器装置还包括隔离图案，所述隔离图案沿着所述第一方向使所述漏极选择线隔离。
8.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括在所述第一方向上与所述第二狭缝间隔开的第三狭缝，所述第三狭缝穿透所述多个存储器区域。
9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述第三狭缝在所述第二方向上彼此间隔开。
10.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述第三狭缝中的每个第三狭缝以基本上四边形柱状或基本上圆形柱状形成。
11.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述第三狭缝中的每个第三狭缝的平面包括在所述第一方向上的短轴和在所述第二方向上的长轴。
12.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一狭缝和所述第二狭缝中的每一者被形成为单层或多层。
13.一种制造存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔硕珉，张晶植，郭鲁珪，金定焕，朴寅洙，崔元根，崔正达，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。