一种碲镉汞芯片及其切割方法技术

本申请属于半导体技术领域领域，公开了一种碲镉汞芯片及其切割方法，通过将碲镉汞芯片固定在划片台上，再使用划片刀进行一次切割，得到一次切割芯片；再将一次切割芯片使用划片刀进行二次切割，得到切割好的碲镉汞芯片；其中，其中碲镉汞芯片厚度为1mm，一次切割深度为0.50～0.65mm，二次切割深度为0.50～0.35mm；此外，本申请还公开了一种碲镉汞芯片，通过上述切割方法得到。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种碲镉汞芯片及其切割方法。

技术介绍

1、碲镉汞(hgcdte，或称为mct)是一种常用于红外探测器和成像设备的半导体材料，具有良好的光电响应，特别是在红外波段。其切割技术是制造高性能红外探测器的关键步骤之一。

2、其中，中国专利申请202310253513.2中公开了一种碲镉汞红外探测器芯片的分割方法，所述方法为：使用保护层保护芯片区域，腐蚀去除切割道区域的钝化层和碲镉汞层，在所述切割道区域形成切割槽，所述切割槽内露出碲锌镉层的表面；从所述切割槽切割所述碲锌镉层，得到碲镉汞红外探测器芯片。

3、该案通过在切割碲锌镉层之前，将碲镉汞层腐蚀掉，再切割碲锌镉层，减少了切割时的应力，从而减少了碲镉汞红外探测器芯片损坏的几率。

4、中国专利申请202311315836.6中公开了一种碲镉汞红外探测器及其芯片的制备方法，其制备方法为：将在基片上依次形成第一保护层和第二保护层，所述第一保护层和所述第二保护层至少覆盖所述基片上的芯片区域；对所述基片进行切割或减薄，再分次去除所述第二保护层、所述第一保护层本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碲镉汞芯片的切割方法，其特征在于，包含以下步骤：

2.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述一次切割深度为0.56～0.60mm，二次切割深度为0.44～0.40mm。

3.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述步骤1的碲镉汞芯片表面还有一层光刻胶用于保护芯片，且光刻胶厚度为5～8μm。

4.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述步骤1及步骤2中的划片刀的切割速度为0.5～1mm/s，切割角度为90℃。

5.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述步骤1中固定方法为：将碲镉汞芯片粘结至基板，再将基板粘结...

【技术特征摘要】

1.一种碲镉汞芯片的切割方法，其特征在于，包含以下步骤：

2.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述一次切割深度为0.56～0.60mm，二次切割深度为0.44～0.40mm。

3.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述步骤1的碲镉汞芯片表面还有一层光刻胶用于保护芯片，且光刻胶厚度为5～8μm。

4.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述步骤1及步骤2中的划片刀的切割速度为0.5～1mm/s，切割角度为90℃...

【专利技术属性】
技术研发人员：王波，凌龙，王从学，
申请(专利权)人：安徽光智科技有限公司，
类型：发明
国别省市：