一种大尺寸硅片减薄异质结太阳能电池制造技术

本发明专利技术涉及一种大尺寸硅片减薄的异质结太阳能电池，重点在于通过优化生产设备设计，实现对210 mm大尺寸与110 μm薄硅片的有效处理。通过控制硅片减薄和吸杂过程中引起的破损率，将碎片率降低至0.45%。通过降低硅片厚度以减少材料成本，同时结合异质结技术中的低温双面钝化接触工艺及完全对称的电池结构，有效地解决了超薄硅片对异质结电池效率的负面影响。本发明专利技术在应对超薄硅片易碎特性方面表现出色，通过改善生产过程中的硅片处理，提高了电池的良品率。本发明专利技术在异质结太阳能电池领域通过创新的硅片减薄和优化生产工艺，成功提升了产品性能和生产效率，为大尺寸薄硅片的工业应用提供了可靠的技术解决方案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏，尤其涉及一种大尺寸硅片减薄的异质结太阳能电池。

技术介绍

1、新能源领域一直是全球重点发展的方向。由于传统电力对环境的负面影响和资源限制，包括核电、风电、光伏、氢能在内的新能源技术成为科技创新和投资领域的重点。光伏发电在过去20年中取得了显著进展，从几乎为零的电力结构发展到如今占世界电力来源的3％左右。据预计，未来30年的新增装机电力中，光伏发电的比例将超过50％，并有望发展成为数万亿产值级别的巨大市场。

2、在光伏产业链的众多环节中，电池技术是关键。电池技术路线决定了光伏产品的效率极限。目前，p型perc电池占据市场份额85％以上，量产转换效率已突破23％，但其理论转换效率极限为29.4％，且未能彻底解决p型电池的光衰现象，因此亟需发展下一代高效电池技术。n型电池的主流技术包括异质结和topcon工艺。n型单面topcon电池的理论效率极限为27.1％，双面多晶硅钝化topcon为28.7％，异质结电池为27.5％。异质结电池作为底层平台，结合叠层电池和钙钛矿技术，能显著提高电池效率的理论上限(超过30％)。topcon的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种大尺寸硅片减薄的异质结太阳能电池，其特征在于，采用尺寸为210 mm × 105mm、厚度为110 μm薄硅片制备，通过控制由于大尺寸硅片减薄和吸杂导致的硅片破损率，其碎片率控制在0.45%；硅片厚度减薄后，异质结电池在经受机载测试设备的最大行程弯曲测试后仍能保持完好无损；所述异质结太阳能电池短路电流密度的下降幅度最大，而开路电压逐渐逼近理论极限；所述异质结太阳能电池的生产爬坡过程快，稳定后的电池良品率保持在至少99%。

【技术特征摘要】

1.一种大尺寸硅片减薄的异质结太阳能电池，其特征在于，采用尺寸为210 mm × 105mm、厚度为110 μm薄硅片制备，通过控制由于大尺寸硅片减薄和吸杂导致的硅片破损率，其碎片率控制在0.45%；硅片厚度减薄后，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎耀桢，陶加华，杨伯川，刘霖，胡玉婷，褚君浩，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：