集成电路的版图设计方法、装置、设备和介质制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种集成电路的版图设计方法、装置、设备和存储介质，本发明专利技术可以通过在数据库中查询用户选择的工艺类型对应的初始保护环掩膜层间距，再预设算法对初始保护环掩膜层间距进行优化，从而根据优化后的保护环掩膜层间距生成集成电路的版图；本发明专利技术通过使用预设数据库来确定保护环掩膜层间距，由于预先在数据库中保存了不同工艺类型对应的保护环掩膜层间距，可以确保不同设计项目和不同设计师之间的一致性，减少因个人经验差异导致的设计偏差；本发明专利技术通过预设算法对初始保护环掩膜层间距进行优化，可以确保保护环的设计更加精确地满足电气性能要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及计算机领域，特别是涉及一种集成电路的版图设计方法、装置、设备和介质。

技术介绍

1、随着集成电路制造工艺的不断进步，对设计精度和一致性的要求越来越高。在集成电路版图设计中，保护环掩膜层的间距对确保器件性能和可靠性至关重要，传统的设计方法依赖于设计师的经验和认知来设定这些间距，可能会因个人差异导致设计不一致和制造偏差，从而影响产品的性能。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，提出了本专利技术实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种集成电路的版图设计方法、装置、设备和介质。

2、为了解决上述问题，本专利技术实施例公开了一种集成电路的版图设计方法，所述方法包括：

3、确定用户针对所述集成电路的版图，选择的工艺类型；

4、根据所述用户选择的工艺类型在预设数据库中查询对应的初始保护环掩膜层间距；所述预设数据库中包括不同工艺类型对应的保护环掩膜层间距；

5、通过预设算法对所述初始保护环掩膜层间距进行优化，得到目标保护环掩膜层间距，根据所述目标本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成电路的版图设计方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过预设算法对所述初始保护环掩膜层间距进行优化，得到目标保护环掩膜层间距，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述确定所述初始保护环掩膜层间距对应的击穿电压值，包括：

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述确定所述初始保护环掩膜层间距对应的漏电流值，包括：

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述击穿电压值、所述漏电流值，确定目标保护环掩膜层间距，包括：

6.根据权利要求1所述的方法，其特...

【技术特征摘要】

1.一种集成电路的版图设计方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过预设算法对所述初始保护环掩膜层间距进行优化，得到目标保护环掩膜层间距，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述确定所述初始保护环掩膜层间距对应的击穿电压值，包括：

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述确定所述初始保护环掩膜层间距对应的漏电流值，包括：

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述击穿电压值、所述漏电流值，确定目标保护环掩膜层间距，包括：

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护环掩膜层间距包括过孔间距、有源区间隔、金属层间距、n阱层间距、源极和漏极间距。

7.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：王娇妹，刘洪华，刘文峰，刘白皓，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：