无引线框架电气隔离功率半导体封装制造技术

本发明专利技术公开了无引线框架电气隔离功率半导体封装。一种无铅功率半导体封装(PSP)，包括基板、多个铜引线、管芯和密封剂。基板具有交替的铜层和氮化硅层。不是引线框架的一部分的铜引线，使用活性金属钎焊被连接到基板。包含允许PSP操作的电路的管芯，使用银烧结膏被连接到基板。密封剂包封基板和管芯，其中多个引线的一部分在密封剂外部。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例涉及功率半导体封装(psp)，并且更特别地，涉及与psp的基板和引线相关联的问题。

技术介绍

1、在分立半导体制造中，常见的是将半导体封装的所谓骨干作为引线框架。引线框架的主要目的是将电气信号从芯片携带到外部世界，并且吸收由芯片产生的热量。

2、对于功率半导体封装(power semiconductor package，psp)，引线框架由单一的铜结构组成，该铜结构由耦合到挡杆(dambar)中的定义数量的引线(腿)组成，其中挡杆与引线正交。在常见情况下，引线框架将包括用于附接管芯的管芯附接焊盘(die attachpaddle，dap)。当psp被封装时，诸如用环氧模塑化合物(epoxy molding compound，emc)封装时，引线将部分保留在密封剂外，而dap和管芯在密封剂内。

3、将dbc/dcb(直接铜接合)基板引入半导体封装的隔离族对于某些应用是有利的。对于dcb基板，热量被消散到基板而不是dap中。因此，引线框架的dap部分对于dcb基板是不必要的，并且可以消除引线框架的铜dap部分的额外成本。尽本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率半导体封装(PSP)，包括：

2.根据权利要求1所述的PSP，所述基板还包括：

3.根据权利要求2所述的PSP，所述基板还包括：

4.根据权利要求3所述的PSP，其中，所述第一陶瓷层和所述第二陶瓷层包括氮化硅。

5.根据权利要求3所述的PSP，其中，所述第二尺寸大于所述第一尺寸。

6.根据权利要求3所述的PSP，其中，所述第二尺寸为1.5mm。

7.根据权利要求3所述的PSP，其中，所述第一尺寸在0.4mm和0.8mm之间。

8.根据权利要求3所述的PSP，其中，所述第三尺寸为0.25mm。<...

【技术特征摘要】

1.一种功率半导体封装(psp)，包括：

2.根据权利要求1所述的psp，所述基板还包括：

3.根据权利要求2所述的psp，所述基板还包括：

4.根据权利要求3所述的psp，其中，所述第一陶瓷层和所述第二陶瓷层包括氮化硅。

5.根据权利要求3所述的psp，其中，所述第二尺寸大于所述第一尺寸。

6.根据权利要求3所述的psp，其中，所述第二尺寸为1.5mm。

7.根据权利要求3所述的psp，其中，所述第一尺寸在0.4mm和0.8mm之间。

8.根据权利要求3所述的psp，其中，所述第三尺寸为0.25mm。

9.一种用于在制造功率半导体封装(psp)中使用的传递模具，所述传递模具包括：

10.根据权利要求9所...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒂布西奥·马尔多，罗伯特·埃比多，阿内尔·德韦扎，杰夫·格罗泽恩，罗杰·卡杜特，
申请(专利权)人：力特保险丝公司，
类型：发明
国别省市：