半导体器件和在密封剂中形成通道以减少重构晶片中的翘曲的方法技术

技术编号:43476779 阅读:16 留言:0更新日期:2024-11-29 16:51
一种半导体器件,具有多个电元器件和沉积在该电元器件上的密封剂。密封剂的第一锯道将第一电元器件与第二电元器件分开。在第一锯道内的密封剂的第一表面中形成第一通道以减小应力。第二通道形成在与第一表面对置的密封剂的第二表面中并且在第一锯道内。第三通道形成在密封剂的第一表面中,并且在密封剂的第二锯道内,垂直于第一锯道。RDL形成在电元器件之上。RDL具有形成在电元器件上的绝缘层和形成在绝缘层上的导电层。绝缘层在第一锯道之前终止。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及半导体器件,并且更具体地,涉及半导体器件和在密封剂中形成通道以减少重构wlp中的翘曲的方法。


技术介绍

1、半导体器件通常可以在现代电子产品中找到。半导体器件可以执行各种各样的功能,例如信号处理、高速计算、发射和接收电磁信号、控制电气设备、光电以及为电视显示器创建可视图像。半导体器件存在于通信、功率转换、网络、计算机、娱乐和消费产品领域中。半导体器件也存在于军事应用、航空、汽车、工业控制器和办公设备中。

2、半导体器件通常包含具有电互连结构的半导体管芯或衬底,例如,形成在半导体管芯或衬底的一个或多个表面上以执行必要的电功能的重分布层(rdl)。半导体器件形成在例如模制的重构晶片级封装(wlp)的晶片或面板上。由于在rdl形成期间由一个或多个膨胀金属层造成的热应力的传播、分层和翘曲位移,晶片和面板易发生破裂。扇出器件越大破裂的风险就越高,并且因此,较低的产量会导致制造成本较高。翘曲不利于工艺产量,对于较大的晶片尺寸、较大的封装尺寸和多层rdl层扇出单元来说尤其如此,这是由整个制造工艺中较高热应力导致的。此外,封装模制化合物可能本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括第二通道,所述第二通道形成在所述密封剂的与所述第一表面对置的第二表面中,并且在所述第一锯道内。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括第二通道,所述第二通道形成在所述密封剂的所述第一表面中并且在所述密封剂的与所述第一锯道垂直的第二锯道内。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括形成在所述电元器件上的重分布层(RDL)。

5.一种半导体器件,包括:

6.根据权利要求5所述的半导体器件,还包括第二通道,所述第二通道形成在所述密封剂的与所述第一表面对置的第二...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括第二通道,所述第二通道形成在所述密封剂的与所述第一表面对置的第二表面中,并且在所述第一锯道内。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括第二通道,所述第二通道形成在所述密封剂的所述第一表面中并且在所述密封剂的与所述第一锯道垂直的第二锯道内。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括形成在所述电元器件上的重分布层(rdl)。

5.一种半导体器件,包括:

6.根据权利要求5所述的半导体器件,还包括第二通道,所述第二通道形成在所述密封剂的与所述第一表面对置的第二表面中,并且在所述第一锯道内。

7.根据权利要求5所述的半导体器件,还包括形成在所述密封剂的所述第一表面中并且在所述密封剂的第二锯道内的第二通道。

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【专利技术属性】
技术研发人员:左健林丽珊
申请(专利权)人:星科金朋私人有限公司
类型:发明
国别省市:

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