【技术实现步骤摘要】
本公开内容涉及一种半导体结构，尤其涉及一种半导体元件、一种半导体结构，以及一种半导体元件的重分布层(rdl)的设置方法。
技术介绍
1、随着应用技术的进步，半导体元件在提供更多的功能和更多的集成电路的同时，也变得更小。相应地，执行多种功能的各种类型和尺寸的半导体元件正在被积集(integrated)和封装到单个模组中，这需要广泛的制备操作。
2、这种半导体元件的制备和积集涉及复杂的步骤和操作，使得半导体元件积集到薄型和高密度的配置中变得复杂。制备和积集的复杂性相应增加，可能会导致电气互连和干扰不良等缺点。
3、上文的“现有技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本专利技术的任一部分。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提出一种半导体结构，以解决上述至少一个问题。
2、本公开的一个实施例提供一种半导体元件，该半导体元件包括一半导体裸片以及一重分布层。该重分...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中多个所述中心焊垫设置于一第一列及一第二列中，靠近该半导体元件的一中心区域的一中心线，并且该中心线沿一第一方向延伸。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其中该第一列与该第二列中的多个所述中心焊垫交错设置。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其中多个所述边缘焊垫设置于该半导体元件的一第一边缘区域及一第二边缘区域中，并且该第二边缘区域与该第一边缘区域相对。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其中设置于该第一边缘区域及该第二边缘区域中的多个所述边缘焊垫沿一第二方向...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中多个所述中心焊垫设置于一第一列及一第二列中，靠近该半导体元件的一中心区域的一中心线，并且该中心线沿一第一方向延伸。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其中该第一列与该第二列中的多个所述中心焊垫交错设置。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其中多个所述边缘焊垫设置于该半导体元件的一第一边缘区域及一第二边缘区域中，并且该第二边缘区域与该第一边缘区域相对。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其中设置于该第一边缘区域及该第二边缘区域中的多个所述边缘焊垫沿一第二方向间隔开，并且该第二方向实质上上垂直于该第一方向。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其中每个导电线包括一第一分段、一第二分段及一第三分段，并且该至少两个转折点包括一第一转折点及一第二转折点，
7.如权利要求6所...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨吴德，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。