【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及化学气相沉淀,更具体地说,它涉及一种碳化硅外延化学气相沉积系统供气装置。
技术介绍
1、碳化硅,是一种无机物,化学式为sic,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成;化学气相沉积是一种化工技术,该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。
2、通过将半导体领域碳化硅晶体材料与化学气相沉淀技术的结合,不但可以对晶体或者晶体薄膜性能的改善有所帮助,而且也可以生产出很多别的手段无法制备出的一些晶体。
3、在中温或高温下,通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上,现有技术中,通过各组供气管将所需要的反应气体通入沉淀箱中混合与置于沉淀箱中加热后的碳化硅晶体发生化学反应生成薄膜,然而,在进行碳化硅化学气相沉淀的过程中,易造成化学气相沉淀反应区域内多种反应气体之间的混合不均匀,造成了在化学气相沉淀反应区域内单种反应气体在不同位置处的浓度差异较大,降低了碳化硅晶板端面位置化学气相沉淀反
...【技术保护点】
1.一种碳化硅外延化学气相沉积系统供气装置,包括沉淀箱(1)以及盖设在所述沉淀箱(1)上的密封盖(2);其特征在于:
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅外延化学气相沉积系统供气装置,其特征在于:
3.根据权利要求2所述的一种碳化硅外延化学气相沉积系统供气装置,其特征在于:
4.根据权利要求3所述的一种碳化硅外延化学气相沉积系统供气装置,其特征在于:
5.根据权利要求4所述的一种碳化硅外延化学气相沉积系统供气装置,其特征在于:
6.根据权利要求5所述的一种碳化硅外延化学气相沉积系统供气装置,其特征在于:
...【技术特征摘要】
1.一种碳化硅外延化学气相沉积系统供气装置,包括沉淀箱(1)以及盖设在所述沉淀箱(1)上的密封盖(2);其特征在于:
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅外延化学气相沉积系统供气装置,其特征在于:
3.根据权利要求2所述的一种碳化硅外延化学气相沉积系统供气装置,其特征在于:
4.根据权利要求3所述的一种碳化硅外延化学气相沉积系统供气装置,其特征在于:
5.根据权利要求4...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵兵,付善任,宋凯园,
申请(专利权)人:江苏岚玥新材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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