一种碳化硅外延化学气相沉积系统供气装置制造方法及图纸

技术编号:43473577 阅读:17 留言:0更新日期:2024-11-27 13:12
本发明专利技术适用于化学气相沉淀技术领域,提供了一种碳化硅外延化学气相沉积系统供气装置,包括沉淀箱、密封盖;两L形导向管之间穿设有与半环形管相适配的供气管组件;沉淀箱周侧面均匀贯穿设置有与密封环插接配合的安装管;安装管端部连通设置有活塞出气组件;沉淀箱内部转动设置有与各活塞出气组件相适配的导向组件,该装置通过配合活塞出气组件将各组反应气体抽进对应的集气球壳中,流动的气流带动拨动叶片转动,对进入集气球壳中的多组反应气体做预混和处理,多组活塞出气组件均匀设置在沉淀箱中,可将反应气体输送至沉淀箱中的多处区域,提升反应气体在沉淀箱中各区域的分散均匀程度,同时提升多种反应气体之间混合均匀程度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学气相沉淀,更具体地说,它涉及一种碳化硅外延化学气相沉积系统供气装置


技术介绍

1、碳化硅,是一种无机物,化学式为sic,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成;化学气相沉积是一种化工技术,该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。

2、通过将半导体领域碳化硅晶体材料与化学气相沉淀技术的结合,不但可以对晶体或者晶体薄膜性能的改善有所帮助,而且也可以生产出很多别的手段无法制备出的一些晶体。

3、在中温或高温下,通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上,现有技术中,通过各组供气管将所需要的反应气体通入沉淀箱中混合与置于沉淀箱中加热后的碳化硅晶体发生化学反应生成薄膜,然而,在进行碳化硅化学气相沉淀的过程中,易造成化学气相沉淀反应区域内多种反应气体之间的混合不均匀,造成了在化学气相沉淀反应区域内单种反应气体在不同位置处的浓度差异较大,降低了碳化硅晶板端面位置化学气相沉淀反应的同步性以及不同区本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅外延化学气相沉积系统供气装置,包括沉淀箱(1)以及盖设在所述沉淀箱(1)上的密封盖(2);其特征在于:

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅外延化学气相沉积系统供气装置,其特征在于:

3.根据权利要求2所述的一种碳化硅外延化学气相沉积系统供气装置,其特征在于:

4.根据权利要求3所述的一种碳化硅外延化学气相沉积系统供气装置,其特征在于:

5.根据权利要求4所述的一种碳化硅外延化学气相沉积系统供气装置,其特征在于:

6.根据权利要求5所述的一种碳化硅外延化学气相沉积系统供气装置,其特征在于:

7.根据权利要...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅外延化学气相沉积系统供气装置,包括沉淀箱(1)以及盖设在所述沉淀箱(1)上的密封盖(2);其特征在于:

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅外延化学气相沉积系统供气装置,其特征在于:

3.根据权利要求2所述的一种碳化硅外延化学气相沉积系统供气装置,其特征在于:

4.根据权利要求3所述的一种碳化硅外延化学气相沉积系统供气装置,其特征在于:

5.根据权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵兵付善任宋凯园
申请(专利权)人:江苏岚玥新材料科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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