【技术实现步骤摘要】
本公开涉及执行刷新操作的半导体存储器装置。
技术介绍
1、作为典型半导体装置的dram(动态随机存取存储器)可包含能够彼此并发地操作的多个存储体。当对每一存储体执行刷新操作时,使用定时调整电路调整刷新操作的操作定时。然而,由于定时调整电路需要相对大的占用面积,因此当定时调整电路被分配给每一存储体时,其将引起芯片面积的增加。因此,需要一种用以减少由定时调整电路占用的面积的技术。
技术实现思路
1、一方面,本公开涉及一种设备,其包括:多对输入及输出信号线;多个第一延迟电路,其可操作地连接在所述多条输入信号线与所述多条输出信号线之间;及第一选择器电路,其经配置以将所述多个第一延迟电路中的选定者连接在所述多对所述输入及输出信号线中的选定者之间。
2、另一方面,本公开涉及一种设备,其包括:多个选择器电路;多个延迟电路,其分别对应于所述多个选择器电路;及多个第一或门电路,其中所述多个选择器电路中的每一者包含:多个输入门电路,其被排他地选择且各自被供应有多个第一控制信号中的相关联者;第二或门
...【技术保护点】
1.一种设备,其包括:
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述多个第一延迟电路的数目少于所述多对所述输入及输出信号线的数目。
3.根据权利要求2所述的设备,其中所述第一选择器电路经配置以响应于第一选择信号而选择所述多个第一延迟电路中的一者且响应于第二选择信号而选择所述多对所述输入及输出信号线中的一者。
4.根据权利要求3所述的设备,其中每当从外部发出预定命令时,更新所述第一选择信号。
5.根据权利要求4所述的设备,其中所述预定命令包含刷新命令及刷新管理命令。
6.根据权利要求5所述的设备,其中所述第二选择信号
...【技术特征摘要】
1.一种设备,其包括:
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述多个第一延迟电路的数目少于所述多对所述输入及输出信号线的数目。
3.根据权利要求2所述的设备,其中所述第一选择器电路经配置以响应于第一选择信号而选择所述多个第一延迟电路中的一者且响应于第二选择信号而选择所述多对所述输入及输出信号线中的一者。
4.根据权利要求3所述的设备,其中每当从外部发出预定命令时,更新所述第一选择信号。
5.根据权利要求4所述的设备,其中所述预定命令包含刷新命令及刷新管理命令。
6.根据权利要求5所述的设备,其中所述第二选择信号由与所述刷新命令或所述刷新管理命令一起供应的存储体地址决定。
7.根据权利要求6所述的设备,其进一步包括分别对应于所述多对所述输入及输出信号线的多个存储体,
8.根据权利要求7所述的设备,其中所述多个第一延迟电路中的每一者通过延迟所述第一定时信号来产生第二定时信号。
9.根据权利要求8所述的设备,其中所述存储体中的每一者经配置以响应于从所述多条输出信号线中的相关联者输出的所述第二定时信号而执行预充电操作。
10.根据权利...
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