一种温差发电芯片及制备方法技术

本发明专利技术提供了一种温差发电芯片及制备方法，所述芯片包括：第一基板、第二基板、第一电极、第二电极、太阳能吸收层和热电臂单元；第一基板和第二基板相对设置；其中，第一电极位于第一基板的下表面，第二电极位于第二基板的上表面；第一电极和第二电极之间设置有干个热电臂单元；其中，热电臂单元包括一个由P型热电材料制成的热电臂和一个由N型热电材料制成的热电臂；第一基板在每个热电臂相对的位置开设有槽孔；其中，第一基板朝向热端；太阳能吸收层位于第一基板和每个槽孔的上表面。本发明专利技术可以提高温差发电芯片在冷端和热端两端的温差，进而增强芯片发电效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及热电发电，特别是涉及一种温差发电芯片及制备方法。

技术介绍

1、热电发电装置(thermoelectric generator,teg)是一种利用热电效应将温差直接转换为电能的电子器件。其工作原理基于塞贝克效应，即在温度差异存在的情况下，热电材料会产生电压，从而生成电流。在废热回收、便携设备供电、特殊环境应用、环境监测、应急电源等多个领域具有广泛的应用潜力，可以提高能源利用效率、降低环境影响，并在各种极端或难以接触的条件下提供可靠的电源。

2、温差发电装置的工作原理是通过利用热源和冷源之间的温差来生成电能。它们最有效的应用是在有废热存在的环境中，因为在这些场合通常能够获得较大的温差，如各种工业余热、火电厂、核能发电厂、数据中心、通信基站等。在缺乏废热的环境中，需要专门的热源来提供充分的热能，这可能涉及额外的能源消耗或成本，并需要特殊的技术解决方案来保持温差发电装置的操作，目前温差发电装置的应用场景还十分有限。

技术实现思路

1、本专利技术旨在提供一种温差发电芯片及制备方法，以解决上述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种温差发电芯片，其特征在于，包括：第一基板、第二基板、第一电极、第二电极、太阳能吸收层和热电臂单元；

2.如权利要求1所述的一种温差发电芯片，其特征在于，

3.如权利要求1所述的一种温差发电芯片，其特征在于，所述槽孔的宽度与所述热电臂的宽度一致；所述槽孔的深度小于或等于所述第一基板的厚度。

4.如权利要求3所述的一种温差发电芯片，其特征在于，所述槽孔的深度与所述第一基板的厚度差范围为2-20μm。

5.如权利要求1所述的一种温差发电芯片，其特征在于，所述太阳能吸收层包括由上至下的防阳光反射层、金属陶瓷层和金属层；</p>

6.如权...

【技术特征摘要】

1.一种温差发电芯片，其特征在于，包括：第一基板、第二基板、第一电极、第二电极、太阳能吸收层和热电臂单元；

2.如权利要求1所述的一种温差发电芯片，其特征在于，

3.如权利要求1所述的一种温差发电芯片，其特征在于，所述槽孔的宽度与所述热电臂的宽度一致；所述槽孔的深度小于或等于所述第一基板的厚度。

4.如权利要求3所述的一种温差发电芯片，其特征在于，所述槽孔的深度与所述第一基板的厚度差范围为2-20μm。

5.如权利要求1所述的一种温差发电芯片，其特征在于，所述太阳能吸收层包括由上至下的防阳光反射层、金属陶瓷层...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：深圳市大兆芯能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：