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本发明提供了一种温差发电芯片及制备方法,所述芯片包括:第一基板、第二基板、第一电极、第二电极、太阳能吸收层和热电臂单元;第一基板和第二基板相对设置;其中,第一电极位于第一基板的下表面,第二电极位于第二基板的上表面;第一电极和第二电极之间设置...该专利属于深圳市大兆芯能科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市大兆芯能科技有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种温差发电芯片及制备方法,所述芯片包括:第一基板、第二基板、第一电极、第二电极、太阳能吸收层和热电臂单元;第一基板和第二基板相对设置;其中,第一电极位于第一基板的下表面,第二电极位于第二基板的上表面;第一电极和第二电极之间设置...