具有双电子阻挡层的发光二极管芯片及其制备方法技术

本公开提供了一种具有双电子阻挡层的发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管芯片包括依次叠设的第一半导体层、第一电子阻挡层、有源层、第二电子阻挡层和第二半导体层；第一半导体层为第一导电类型，第二半导体层为第二导电类型，且第二导电类型不同于第一导电类型；第一电子阻挡层和第二电子阻挡层均为Al<subgt;x</subgt;In<subgt;1‑x</subgt;P层，0.5≤x≤1。本公开能够有效的增加电子和空穴在有源层内的复合概率，提高了发光二极管芯片的内部量子效率。

【技术实现步骤摘要】

本公开属于半导体，特别涉及一种具有双电子阻挡层的发光二极管芯片及其制备方法。

技术介绍

1、发光二极管(light emitting diode，led)是一种可以把电能转化为光能的半导体二极管。

2、在相关技术中，发光二极管芯片是发光二极管的主要组成部分，其主要包括外延层。外延层包括n型半导体层、有源层和p型半导体层，电子从n型半导体层注入到有源层，并与从p型半导体层注入的空穴复合发光。

3、然而，在发光二极管芯片发光的过程中，部分电子可能会在进入有源层之前或离开有源层之后逃逸，导致复合效率降低。

技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种具有双电子阻挡层的发光二极管芯片及其制备方法，能够有效的增加电子和空穴在有源层内的复合概率，提高了发光二极管芯片的内部量子效率。所述技术方案如下：

2、一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管芯片，包括依次叠设的第一半导体层、第一电子阻挡层、有源层、第二电子阻挡层和第二半导体层；

3、所述第一半导体层为第一导电类型，所述第二半本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括依次叠设的第一半导体层(11)、第一电子阻挡层(21)、有源层(12)、第二电子阻挡层(22)和第二半导体层(13)；

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一电子阻挡层(21)的厚度为10～15nm；

3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括第一波导层(31)和第二波导层(32)；

4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一波导层(31)的厚度为100～200nm；

5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括依次叠设的第一半导体层(11)、第一电子阻挡层(21)、有源层(12)、第二电子阻挡层(22)和第二半导体层(13)；

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一电子阻挡层(21)的厚度为10～15nm；

3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括第一波导层(31)和第二波导层(32)；

4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一波导层(31)的厚度为100～200nm；

5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括依次层叠的第一欧姆接触层(...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈星宇，王洪占，许晏铭，蒋坚，杨箫，沈研飞，
申请(专利权)人：京东方华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：