【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微机电领域，特别涉及一种微机电沉积层及其制备方法。
技术介绍
1、在微机电领域中，常需要在晶圆表面沉积多层沉积层，本专利技术中仅将表面沉积的一层称呼为沉积层，将沉积层与晶圆之间的多层结构均称为基底层，在制备微机电零部件时，常常在沉积多层基底层并图形化后，形成覆盖于基底层的沉积层，并在新形成的沉积层表面进行图形化处理。在这种情况下，在基底层表面进行图形化时，由于多层基底层的参数不同，导致刻蚀液对各层基底层的刻蚀能力不同，导致图形化完成后晶圆表面形成具有较多的尖锐起伏的形貌。在这种平整度较差的基体表面形成沉积层，残余应力导致沉积层内部易形成裂纹，难以达到沉积层的质量要求。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种符合质量要求的微机电沉积层及其制备方法。
2、为达到上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、一种微机电沉积层，包括层叠的第一覆盖部和第二覆盖部，所述第一覆盖部形成于基板表面，所述基板表面具有第一不平整度，所述第二覆盖部形成于所述第一覆盖部...
【技术保护点】
1.一种微机电沉积层，其特征在于，包括层叠的第一覆盖部和第二覆盖部，所述第一覆盖部形成于基板表面，所述基板表面具有第一不平整度，所述第二覆盖部形成于所述第一覆盖部远离所述基板的一侧，用于补偿所述第一覆盖部的薄膜应力，使所述微机电沉积层整体的薄膜应力为预设应力范围内任一值。
2.如权利要求1所述的微机电沉积层，其特征在于，所述微机电沉积层为二氧化硅薄膜，且所述预设应力范围为-120MPA～-80MPA。
3.如权利要求2所述的微机电沉积层，其特征在于，薄膜均一性小于3％，薄膜刻蚀率为4400A/min～4600A/min中的任一值。
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【技术特征摘要】
1.一种微机电沉积层，其特征在于，包括层叠的第一覆盖部和第二覆盖部，所述第一覆盖部形成于基板表面，所述基板表面具有第一不平整度，所述第二覆盖部形成于所述第一覆盖部远离所述基板的一侧，用于补偿所述第一覆盖部的薄膜应力，使所述微机电沉积层整体的薄膜应力为预设应力范围内任一值。
2.如权利要求1所述的微机电沉积层，其特征在于，所述微机电沉积层为二氧化硅薄膜，且所述预设应力范围为-120mpa～-80mpa。
3.如权利要求2所述的微机电沉积层，其特征在于，薄膜均一性小于3％，薄膜刻蚀率为4400a/min～4600a/min中的任一值。
4.如权利要求1至3任一所述的微机电沉积层的制备方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：史梁，顾炳晓，池义，
申请(专利权)人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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