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本发明涉及微机电领域,特别涉及一种微机电沉积层及其制备方法,微机电沉积层包括形成于基板的第一覆盖部和形成于第一覆盖部的第二覆盖部,且微机电沉积层整体的薄膜应力为预设应力范围内任一值。基板表面具有尖锐起伏的形貌,第一覆盖部通过等离子体增强化学...该专利属于苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司授权不得商用。
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本发明涉及微机电领域,特别涉及一种微机电沉积层及其制备方法,微机电沉积层包括形成于基板的第一覆盖部和形成于第一覆盖部的第二覆盖部,且微机电沉积层整体的薄膜应力为预设应力范围内任一值。基板表面具有尖锐起伏的形貌,第一覆盖部通过等离子体增强化学...